일반기술

스퍼터링 증착법을 이용한 산화아연막의 제조방법

기판상에 ZnO막을 스퍼터링 증착하는 방법에 관한 것이다.종래 고품질의 산화아연막을 얻기위해, MgO와 같은 버퍼층(완충막)을 ZnO막과 기판 사이에 사용하는 방법, 또는 1차공정에서 약 1000Å의 다결정 버퍼층을 증착시키고 다음에 다결정막을 증착하는 두단계공정을 이용하였으나, 공정의 복잡성과 불순물 발생등의 문제가 있어 스퍼터링법을 이용하여 고품질의 에피택시(Epitaxy)막을 형성하는 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.ZnO 타깃을 제공하여 스퍼터링장치내에 사용가스에 노출시키는 단계, 적어도 하나의 반응성가스를 상기 스퍼터링장치에 공급하는 단계, 전원을 공급하여 플라즈마를 형성하는 단계, 플라즈마의 작용에 의하여 25~350℃ 온도에서 사파이어 기판상에 ZnO막을 1~200Å두께로 증착하는 단계 및 상기 증착 이후에 기판의 온도를 400~700℃로 상승시킨 후 1차 ZnO막위에 ZnO막을 1Å~5㎛ 두께로 증착하는 단계를 포함하는 스퍼터링 증착법을 이용한 ZnO막의 제조방법에 관한 것이다.진공조의 내부에 ZnO 타깃과 상기 ZnO 타깃으로부터 이격되어 대향하도록 배열된 사파이어 기판을 구비한 플라즈마를 발생시키는 스퍼터링 장치를 이용하여, ZnO막을 형성시키는 방법을 제공하며, 2차원층만을 증착하는 제1단계와, 제1단계의 증착온도보다 기판의 온도를 높여서 나머지막을 증착하는 제2단계를 포함하는 두단계 증착방법을 사용한 것을 특징으로 한다.ZnO 박막 증착시 1차공정에서 2차원층만 증착하고, 2차공정에서 1차공정보다 높은 온도에서 증착을 행하면, 박막증착시 고온의 장점과 저온의 장점을 동시에 얻음으로써, 증착된 박막의 에피텍시가 향상되며 박막의 거칠기 또한 개선된다.