일반기술

반사막이 삽입된 p형 전극구조를 가지는 질화물계 발광 다이오드 및 그 제조방법

발광효율이 개선되도록 반사막이 삽입된 p형 전극구조를 가지는 질화물계 발광다이오드 및 그 제조방법에 관한 것이다.종래, p형 전극의 투과도를 높이기위해 투명전극으로 사용하는 금속의 열처리 분위기를 바꾸거나, 투명전극으로 사용하는 금속의 종류를 바꾸어서 가시광선 영역에서의 빛에 대한 투과도를 높이는 방법등만이 연구되고, 투명전극 위에 형성되는 와이어 접촉 전극에 의한 빛의 흡수를 줄이는 방법에 대해서는 미비했다. 반사막을 이용하여 질화물계 발광다이오드의 p형 전극을 구성하는 부분 중에서 투명전극상의 와이어 접촉전극에 의해 빛의 흡수를 줄임으로써 다이오드의 발광효율 저하를 방지할 수 있는 질화물계 발광 다이오드 및 그 제조방법을 제공한다.절연기판 상에 형성되는 n형 질화물 반도체층과, 상기 n형 질화물 반도체층의 소정영역상에 순차적으로 적층되는 발광 활성층 및 p형 질화물 반도체층과, 상기 발광 활성층 및 p형 질화물 반도체층이 형성되지 않은 상기 n형 질화물 반도체층 표면상에 형성되는 n형 전극과, 상기 p형 질화물 반도체층 상에 형성되는 p형 전극을 구비하는 질화물계 발광 다이오드에 있어서,상기 p형 전극이, 상기 p형 질화물 반도체상의 소정영역에 형성되는 반사막과, 상기 반사막을 포함하여 상기 p형 질화물 반도체층의 표면을 덮도록 형성하는 투명전극과, 상기 반사막의 상부에 위치하도록 상기 투명전극상에 형성되는 와이어 접촉전극을 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 질화물계 발광다이오드에 관한 것이다.와이어 접촉 전극에서 광이 흡수되는 것이 반사막에 의하여 방지되기 때문에 발광효율이 좋을 뿐만 아니라, 반사막에 의하여 반사된 빛이 발광 활성층의 발광에 다시 관여하기 때문에 발광효율이 더욱 크게 증가하게 된다.