일반기술

완충층을 이용한 박막전지용 양극의 제조방법

완충층을 이용하여 고용량을 달성할 수 있는 박막전지를 제조하는 방법에 관한 것이다.결정질 양극물질을 이용하는 박막전지에 대해 기판온도 조절이 가능한 스퍼터 장비를 이용하여 완충층과 결정질 양극물질로 이루어진 양극 구조를 제조함으로써, 기존의 양극물질 두께 증가에 따른 균열등의 문제점을 해결할 수 있으며 고용량을 지닌 박막전지의 제조를 가능하게 한다. 기판위에 완충층을 형성하고 이어서 그 위에 결정질 양극을 형성하는 것을 특징으로 하는 완충층을 이용한 박막전지용 양극제조방법을 제공한다.기판의 온도를 변화시킬 수 있는 스퍼터링 방법으로 박막전지를 제조하는 방법에 있어서, 완충층과 결정질 양극물질로 이루어진 양극구조를 제조하는 것을 특징으로 하는 박막전지의 제조방법에 관한 것이다.스퍼터 장비를 이용한 결정질 양극의 성장시 기판의 온도를 변화시키며 성장시키는 특징을 지니며, 고용량을 지닌 박막전지를 제조하기 위하여 양극 물질의 성장시 완충층을 이용함으로써 두께증가에 따른 균열등의 열화특성을 최소화시킨다.기존의 양극제조방법에 비해 2㎛ 이상의 두꺼운 양극에 대해 나타날 수 있는 열화특성을 최소화할 수 있으며, 그 결과 고용량 박막전지의 제조가 가능하게 된다.