일반기술

커패시터용 탄탈륨 산화물 박막의 제조방법

전기화학적 방법에 의해 저비용 및 공정시간을 단축시킴과 동시에 양질의 탄탈륨 산화물 박막을 제조하는 방법에 관한 것이다.종래의 탄탈륨 산화물 박막의 제조방법에 의해 전기화학적으로 형성된 Ta 산화물의 경우, 사용되는 전해질 성분이 산화물내에 불순물로 존재할 가능성이 있으며, 두께에 따른 Ta 산화물의 비균일성으로 인하여 양질의 산화물 박막을 얻지 못했다.전기화학적 방법으로 탄탈륨 산화물 박막을 제조하는 방법에 있어서, 상기 방법에 의해 얻어진 탄탈륨 산화물 박막을 600~850℃의 산소분위기에서 급속 열처리를 실시하는 커패시터용 탄탈륨산화물 박막의 제조방법에 관한 것이다.전기화학적 방법에 의해 양질의 탄탈륨 산화물 박막을 제조하는 방법에 관한 것이다. Ta 산화물 박막의 제조에 있어 비용과 시간의 측면에서 우수한 특성을 지닌 전기화학적 시간대 전류법을 사용하며, 양질의 Ta 산화물 박막을 제조하기 위해 전기화학적 방법으로 얻어진 Ta 산화물 박막에 대해 산소분위기하에서 급속 열처리방법을 수행한다. 급속 열처리 온도는 탄탈륨 산화물 박막의 결정화를 피하기 위하여 600~850℃가 적당하다.기존의 스퍼터, 기상화학증착법등을 이용한 경우에 비해 저비용, 저공정시간의 경쟁력을 지님과 동시에 양질의 Ta 산화물을 제조할 수 있어 DRAM과 같은 전자소자에 유용하게 이용될 수 있다.