일반기술

아연산화물 건식식각방법

메탄을 포함하는 기체를 플라즈마 상태로 만들어 아연산화물을 반응성 이온식각하는 아연산화물의 건식식각방법에 관한 것이다.아연산화물 반도체는 습식식각방법으로는 만족할만한 식각을 행하기가 어렵고, Ⅱ-Ⅵ 혹은 Ⅲ-Ⅴ화합물의 반도체의 건식식각은 주로 할로겐 기체 플라즈마를 사용하고 있으나, 아연산화물 반도체의 건식식각에 대한 기술은 보고되지 않아 아연산화물 반도체가 적용되는 경우에는 고품질의 반도체 소자를 생산하기가 어렵다.높은 식각률과 좋은 이방성 식각 특성이 나타나도록 메탄을 포함하는 기체를 플라즈마 상태로 만들어 아연산화물을 반응성 이온식각(reactive ion etching, RIE)함으로써 광전소자 및 전자소자의 제조에 광범위하게 응용할 수 있는 아연산화물 건식식각방법을 제공하는 것이다.반응기내의 서셉터 상에 아연산화물이 증착된 기판을 안착시키고, 상기 반응기 내에 메탄을 포함하는 포함하는 기체를 공급하여 플라즈마를 형성함으로써, 상기 아연산화물을 상기 플라즈마로 건식식각하는 것을 특징으로 하는 아연산화물 건식식각방법에 관한 것이다. 상기 메탄을 포함하는 기체에 수소가 더 포함되는 것이 바람직한데, 이는 수소에 의해 산소가 수산화물(OH) 또는 산소(O2)의 형태로 제거되어 식각률이 더 커지기 때문이며, 또한 수소 비활성화(hydrogen passivation) 효과에 의해 아연산화막의 광학적 특성이 좋아지기 때문이다.습식식각에 의하는 경우보다 매우 높은 식각률을 얻을 수 있고 수소 비활성화 효과로 인하여 박막의 광학적 특성이 향상되어 광전자소자 및 전자소자 개발 등 응용범위가 크며 RF 전력을 조절함으로써 이방성 식각특성도 향상시킬 수 있다.