일반기술

아연산화물 반도체의 오믹 접촉특성 향상을 위한 플라즈마 처리방법

아연산화물 반도체가 금속과 서로 오믹접촉(ohmic contact)될 수 있도록 아연산화물 반도체의 표면을 플라즈마로 처리하는 방법에 관한 것이다.일반적으로 스퍼터링법에 의해 성장된 아연산화물 반도체에는 수많은 결함(defect)이 존재하며 도핑에 의해 생성된 전자들은 결함에 의해 보상(compensation) 및 포획(trapping)되기 때문에 도핑의 효과가 감소하게 된다.아연산화물 반도체의 표면을 수소를 포함하는 플라즈마로 처리하여 아연산화물 반도체내의 결함들을 비활성화(passivation)시킴으로써 도핑의 효과가 잘 나타나도록 하여, 아연산화물 반도체와 금속이 서로 오믹접촉될 수 있도록 하는 아연산화물 반도체의 플라즈마 처리방법을 제공하는 것이다.아연산화물 반도체의 플라즈마 처리방법에 관한 것으로, 반응기 내의 서셉터 상에 아연산화물 반도체가 증착된 기판을 안착시키고, 상기 반응기내에 수소를 포함하는 플라즈마를 형성하여 상기 아연산화물 반도체의 표면을 상기 플라즈마에 노출시키는 것을 특징으로 한다.상기 수소를 포함하는 기체에 헬륨(He), 네온(Ne), 아르곤(Ar), 크립톤(Kr), 제논(Xe), 및 라돈(Rn)으로 이루어진 불활성기체 군으로부터 선택된 어느 하나를 더 포함시키거나, 또한 이들중 어느 하나를 포함하는 혼합기체를 더 포함시키는 것이 바람직하다.간단한 방법으로 낮은 비접촉저항을 얻을 수 있을 뿐만 아니라 우수한 광학적 특성도 얻을 수 있고 고온공정이 필요치 않으므로 기존의 화합물 반도체에서 사용되는 고온 열처리에 의해 야기될 수 있는 소자의 성능저하도 피할 수 있다.