일반기술

산화아연 산화물 반도체 박막 제조 방법

청색 및 녹색 발광다이오드 및 레이저다이오드와 같은 광전자소자의 제작에 핵심 기술인 고품위 산화아연 산화물 반도체 박막 제조 방법에 관한 것이다. 산화아연 산화물 반도체를 산화 알루미늄 상에 성장시켜 양질의 박막을 얻기 위한 많은 연구가 시행되어 왔으나 알루미늄이 도핑된 산화아연의 후열 처리에 대한 연구는 아직까지 미진한 상태였다. 따라서 저온에서 스퍼터 시스템으로 성장시킨 알루미늄이 도핑된 산화아연 산화물 반도체를 고순도 산소 분위기하의 고온로를 이용하여 800~1000℃의 온도에서 한시간 동안 후 열처리함으로서 광학적, 구조적, 전기적으로 우수한 특성을 갖는 산화아연 산화물 반도체 박막을 제조하는 방법을 제공한다.알루미늄이 도핑된 산화아연을 산화알루미늄 기판에 교류 스퍼터 시스템을 이용하여 증착시킨 후 반에피택시(semi-epitaxy) 또는 에피택시(epitaxy) 성질의 산화아연 시료를 성장시키는 제 1 단계와, 상기 산화아연 시료를 고순도 산소 분위기의 석영 튜브를 구비하는 고온로에서 800~1000℃ 내에서 한시간동안 후열 처리하여 산화아연 산화물 반도체 박막을 제조하는 제 2 단계를 거침으로서 산화물 반도체 박막의 그레인(grain) 재배열을 유도하여 구조적 특성을 향상시키고, 산소분위기 열처리에 의한 산소 주입으로 산화아연 박막내의 산소 공공을 줄여 전기적, 광학적 특성이 우수한 발광다이오드용 물질인 산화아연 산화물 반도체 박막을 구현할 수 있다.