일반기술

반도체 소자의 미세 패턴 형성방법

본 기술은 마스크 패턴을 웨이퍼의 표면층에 전사하는 과정에서 노출 광원의 회절로 인한 포토 레지스트층 패턴 선폭의 변형을 최소화 하고, 패터닝하고자하는 표면층의 두께 설정 범위를 확대할 수 있는 방법이다.기존의 미세 패턴 형성공정은 노출광원이 마스크를 통과하면서 빛의 회절이 발생되어 포토 레지스트층의 패턴 크기를 변경시키는데, 포토 레지스트층이 얇을수록 광원의 회절 영향은 적게 받지만, 패터닝하고자하는 표면층 두께에도 제한을 주게 되기 대문에 미세 선폭 설정과 두께 설정의 문제를 동시에 만족시킬 수는 없는 문제점이 있었다.본 기술은 앞서 기술한 문제점을 해결하기 위한 것으로 마스크 패턴을 전사하는 과정에서 노출 광원의 회절로 인한 포토 레지스트층 패턴의 변화를 최소화 할 수 있도록 포토 레지스트층의 일부 두께만 패터닝하는 것과 함께 포토 레지스트층과 패터닝하고자하는 표면층 사이에 서로 식각 선택비가 서로 상반되는 다층박막의 매개층을 삽입하여 회절로 인한 미세 선폭 구현의 범위를 확대하고, 패터닝하고자하는 표면흥의 두께 설정 범위를 확대할 수 있는 반도체 소자의 미세 패턴 형성방법을 소개한다본 기술에서 주입되는 식각가스에 대해 서로 식각선택비가 우수한 박막을 N개의 다층구조로 표면층을 형성하고, 제 N 매개층의 노출된 부분을 부분적으로 식각하여 표면층을 노출시키고, 표면층의 노출된 부분을 부분적으로 식각한 후 잔존하는 포토 레지스트층 및 다수 의 매개층을 제거하여 표면층의 패턴을 형성하여 구성한다.따라서, 본 기술은 마스크 패턴을 웨이퍼의 표면층에 전사하는 과정에서 노출 광원의 회절로 인한 포토 레지스트층 패턴 선폭의 변형을 최소화 할 수 있으며, 패터닝하고자하는 표면층의 두께 설정 범위를 확대할 수 있다