일반기술

플레쉬 이이피롬(EEPROM) 장치 및 그 제조방법0

본 기술은 플래쉬 이이피롬장치 및 그 제조방법에 관한 것으로, 특히 프로그램 효율을 향상시킬 수 있는 플래쉬 EEPROM 장치 및 그 제조방법에 관한 것으로, 프로그램 효율이 높으면서도 집적화에 유리한 플래쉬 EEPROM 장치를 제공하고, 플래쉬 EEPROM 장치 제조하는 데 적합한 플래쉬 EEPROM 장치의 제조방법을 제공하는데 있다. 본 기술은 제1도전형의 반도체 기판과, 상기 반도체 기판 표면 근방의 채널 영역을 사이에 두고 그 양 옆에 형성되고, 상기 제1도전형과 반대의 제2도전형의 불순물이 도핑된 소오스 영역 및 드레인 영역과, 상기 소오스 영역과 인접한 상기 채널 영역에 형성되고, 상기 제1도전형의 불순물이 상기 반도체 기판보다 높은 농도로 도핑된 제1불순물 영역과, 상기 드레인 영역과 인접한 상기 채널 영역에 형성되고, 상기 제2도전형의 불순물이 상기 소오스 및 드레인 영역보다 낮은 농도로 도핑된 제2불순물 영역과, 상기 채널 영역 상의 전면에 걸쳐 균일한 두께로 형성된 게이트 절연막과, 상기 게이트 절연막 상의 전면에 걸쳐 형성된 플로팅 게이트와, 상기 플로팅 게이트 상에 순차적으로 형성된 층간절연막 및 조절 게이트를 구비하는 것을 특징으로 플래쉬 이이피롬(EEPROM) 장치를 제공한다본 기술의 플래쉬 EEPROM 장치의 셀은 집적도를 향상시킬 수 있고, 프로그램 효율을 향상시킬 수 있고, 적층형 셀과 동일한 면적으로 제조할 수 있기 때문에 종래의 분리형 게이트 셀에 비해 집적도를 향상시킬 수 있다. 또한, 프로그램 효율을 향상시킬 수 있다