일반기술

박막형 전지의 제조방법

본 기술은 반도체 공정을 이용하여 박막형 전지를 제작할 때 전지의 제작을 위한 기판에 홈, 즉 트렌치 구조를 갖도록 하여 단위 전지 면적당 전극의 양과 전극과 전해질간의 접촉 면적을 증가시킴으로써 전류밀도, 총전류저장 밀도, 충전 속도 등의 박막형 전지의 성능을 향상시키는 박막형 전지의 제조방법에 관한 것이다.기존의 박막형 전지를 경량의 이동 통신장비(예: 셀룰러 폰), 휴대용 컴퓨터 및 비교적 높은 소비전력을 요구하는 마이크로일렉트로미케니컬 소자에 응용하려할 때 박막의 특성으로 인해 전류 밀도 및 총전류저장 밀도가 낮아진다는 문제가 있다.반면, 본 기술에서는 비교적 높은 소비전력 및 전류밀도를 갖는 장비에 경량성 및 다양한 형태성의 장점을 갖는 박막형 전지를 응용하기 위하여, 박막형 전지가 만들어지는 기판에 트렌치 구조를 도입하여 단위 면적당 전극의 양과 콜렉터-전극-전해질 간의 접촉 계면면적을 증가시켜 전지의 성능을 개선함으로써 박막형 전지의 총전류저장 밀도, 총 전류 충전 용량 및 방전후의 충전속도를 증가시킬 수 있다.본 기술에 의한 박막형 전지의 제조방법은 기판상에 트렌치 구조를 형성하여 단위면적당 유효면적을 증가시키도록 이루어져 있다. 기판은 콜렉터가 증착된 상태이며, 트렌치는 단일 또는 이중 형태로 구성되어 있다.이와 같이 이루어진 본 기술에 의하면, 박막형 전지가 만들어지는 기판에 트렌치 구조를 도입하여 단위 면적당 전극의 양과 콜렉터-전극-전해질 간의 접촉 계면면적을 증가시킴으로써 박막형 전지의 성능을 개선하여 총전류저장 밀도를 현저히 증가시킬 수 있는 효과가 있다.