일반기술
트렌치 게이트 DMOS 전력소자 제조기술
본 기술은 휴대전화, 노트북PC, DC-DC 변화기 등의 수요가 급증함에 따라 저 전압에서 대전류를 제어할 수 있는 고집적화 전력소자에 관한 것이다. 현재 국내 고집적화 전력소자의 수요량은 약 3500만개이고, 국외 리튬이온 이차전지의 세계적 수요량은 2004년도에는 10억개 이상의 전력소자가 필요하다고 예상된다. 본 기술은 전력소자의 필요에 따라 기존의 수평게이트 채널구조를 갖는 DMOS전력소자보다 단위 면적당 많은 소자를 직접화하는 수직게이트 채널 구조를 갖는 DMOS 전력소자를 사용한다. 본 기술의 전력소자는 수직게이트 채널구조로 고집적화하여 전력소자의 주요변수인 ON-저항값을 낮출 수 있어 낮은 전압에서도 대전류를 구동할 수 있는 전력소자다. 본 기술에 따른 전력소자의 전량은 수입에 의존하는 국내 현황으로써 트랜치게이트 DMOS 전력소자 제조 기술 확보는 150억원 이상의 수입 대체 효과가 기대된다. 또한 정보통신 기기의 대외 경쟁력 강화에 기여할 것이고 DC-DC 변화기 및 모터 등 여러 분야에 활용함으로써 경제적 효과가 크다. 향후 정보통신기기의 급진적인 발전으로 3000억원 이상의 대규모의 시장창출이 예상되어 경제적 효과가를 증대시킬 수 있다.
기술정보
- 기술분류
- 전기·전자 > 집적회로설계 기술 (B63)
- 보유기관
- 한국전자통신연구원
- 기술유형
- 일반기술
- 등록일
- 2001-05-10
- 데이터 갱신일
- 정보 없음
상세설명
정보 없음
관련 특허
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