일반기술

기어형 이종접합 바이폴라 트랜스터의 제조 방법

본 기술은 이종접합 바이폴라 트랜지스터(Heterojunction Bipola Transisters ; HBT라 약칭함)의 제조방법에 관한 것으로, 특히 단위 능동 소자를 방사형상으로 배치하여 열적 특성을 개선한 기어형 이종접합 바이폴라 트랜지스터(Gear-shapedHeterojunction Bipola Transisters ; GSHBT라 약칭함) 의 제조방법에 관한 것으로, 단위능동소자를 방사형상으로 배치하고 단위능동소자를 공중배선 공정(Airbridge plating)과 비아홀(Via-hole)을 통해 접지와 최단거리로 연결함으로써 단위능동소자에서 발생하는열을 골고루 분포시키고 열을 효율적으로 방사시켜 HBT의 열적특성을 개선하고 신뢰도를 확보할 수 있는 기어형 이종접합바이폴라 트랜지스터(Gear-shaped Heterojunction Bipola Transisters)의 제조방법을 제공하는데 목적이 있다.따라서 본 기술은 다수개의 단위능동소자를 방사형상으로 배열하여 기어형 이종접합 바이폴라 트랜지스터를 형성한 후 절연영역 상면에 크롬(Cr)을 얇게 증착하고 그 상면에 금(Au)을 증착하여 리프트오프(Lift-off) 공정에의해 금속패드를 형성하며, 접촉창 마스크로 접촉창을 형성한 후 공중배선공정을 통하여 단위능동소자의 에미터 전극을 패드전극에 연결하며, 상기 기판의 뒷면을 연마하고 반응성 이온식각(Reactive Ion Etching ; RIE) 공정으로 비아홀을 형성한 후, 금으로 뒷면을 도금하여 금속패드와 접지를 연결하는 공정으로 실현되는 기어형 이종접합 바이폴라 트랜지스터제조방법을 제안한다.본 기술은 단위능동소자를 방사형상으로 배치하여 소자에서 발생되는 열을 골고루 분포시켜 모든 단위능동소자가 비슷한 온도 분포를 갖도록함으로써 고출력 HBT에서 발생하는 열파괴현상을 효과적으로 방지할 수 있다.또한, 이와같은 GSBT는 단위능동소자와 접지사이를 공중배선 공정 및 비아홀을 통해 열원을 접지에 최단거리로 연결함으로써 접지 인덕턴스를 최소화하고 단위능동소자에서 발생되는 열을 효율적으로 방사시켜 고출력 HBT의 열적 특성을 개선하여 고출력 기어형 HBT의 신뢰도를 확보할 수 있다. 아울러 같은 출력의 HBT를 제작하는데 있어서 GS HBT는 종전의 HBT에 비해 면적을 크게 줄일 수 있는 효과를 얻을 수 있다.