일반기술

대면적 강유전체 에피박막 성장장비 제작 기술

본 기술은 무선통신 부품을 위한 박막소재 성장장치에 관한 것이다.종래의 무선통신부품은 도판관식으로 고가이며, 고중량 특성을 갖고 있으며, 차세대 무선통신부품은 박막형, 저가, 초소형, 고감도 특성을 갖고 있다. 이러한 차세대 무선통신부품의 특성을 만족시키기 위한 필수장치인 박막소재 성장장치를 제공함을 목적으로 한다.본 기술은 대면적 산화물 에피박막 성장장비로 할로우 캐소드 스퍼터링 방법( Hollow Cathod Sputtering Method)을 이용한 시스템 설계 및 제작 기술, 컴퓨터 제어기술과 대면적 산화물인 강유전체, 고온초전도체등 에피박막 성장기술을 제공한다.본 기술은 Strong Increase of Charge Carrier Density, Inert Gas Flow Through Hollow Cathode Tube, 90도 Off-Axis Geometry 의 할로우 캐소드 스퍼터링 방법을 이용한 기술이다.