일반기술

금속이온-도핑된 광소자 제조방법

본 기술은 광섬유 코어 등에 첨가되는 회토류 이온, (전이) 금속 이온등의 금속 이온의 함유량을 높일 수 있으며, 처리가 용이하고 저렴한 공정을 통한 광섬유 또는 평판형 유리 형태의 광소자의 제조방법에 관한 것이다.기존의 도핑법들은 통상적으로 사용하는 MCVD 장비외에 부수적인 장치가 필요하다. 이를 위한 비용도 적지 않을 뿐만 아니라 개조 후 MCVD 장비 내부가 오염될 가능성이 높아 고가인 MCVD 장비의 활용이 제한되는 문제점이 있어, MCVD 장비의 개조를 요구하지 않는 용액첨가법이 비교적 널리 이용되고 있다. 그러나, 기존의 용액첨가법은 처리가 용이하고, 공정이 저렴한 장점이 있으나, 도핑 금속 용액으로 제조가능한 농도 이상으로 금속 이온을 광소자에 도핑시키기는 어려운 문제점이 있다. 즉, 기존의 용액첨가법에 의해서는 도핑효과가 낮은 단점이 있다.따라서, 본 기술은 광섬유 또는 평판형 광소자와 같은 광소자에 높은 농도로 회토류 이온, (전이) 금속 이온을 도핑시키고자 한다.본 기술에 의한 금속이온-도핑된 광소자 제조방법은 광소자 제조용 기재에 부분소결된 미세구조를 형성시키고, 미세구조를 금속이온 도핑용액에 담그는 함침(soaking) 공정을 실시하여 금속이온을 미세구조에 도핑시키는 단계를 포함하고, 함침 공정을 도핑 용액 제조 온도보다 낮은 온도에서 실시한다.이와 같이 이루어진 본 기술에 의하면, 간단하고 경제적인 방법으로 기존의 용액첨가법의 단점인 도핑농도의 한계성을 극복하여 광섬유 또는 평면형 광소자와 같은 유리 재료에 희토류 이온 및 (전이) 금속 이온을 높은 농도로 도핑시킬 수 있다.