일반기술

릿지 도파로형 레이저 다이오드 제조방법

본 기술은 선택적 성장법에 의해 릿지 도파로를 형성하는 릿지 도파로형 레이저 다이오드 제조방법에 관한 것이다.기존의 릿지 도파로형 레이저 다이오드의 제조방법은 메사식각공정에 의해 p+형 AlGaAs 클래딩층의 두께가 결정되므로 p+형 AlGaAs 클래딩층의 두께를 정확하게 조절하기가 힘들어 전파모드의 수를 선택하기가 어렵다. 또한, 메사식각면에 결함이 발생하게 되어 소자의 신뢰성 및 전기적 특성이 나빠지게 된다.본 기술에 의한 릿지 도파로형 레이저 다이오드 제조방법은 기판 앞면에 하부 클래딩층, 활성층 및 상부 클래딩층을 에피텍셜 성장법을 이용하여 순차적으로 형성하는 단계와, 상부 클래딩층 상에 상부 클래딩층을 노출시키는 적어도 하나의 스트라이트를 갖는 마스크 패턴을 형성하는 단계와, 상부 클래딩층과 격자정합되는 릿지 도파로를 마스크 패턴의 스트라이프에 선택적으로 성장시키는 단계와, 릿지 도파로 상에 접촉층을 형성하는 단계와, 결과물 상에 상부 금속층을 형성하고 기판의 뒷면에 하부 금속층을 형성하는 단계를 포함한다.이와 같이 이루어진 본 기술에 의하면, 상부 클래딩층의 두께를 정밀하게 제어할 수 있기 때문에 정확한 레이저 특성을 얻을 수 있다. 또한, 릿지 도파로를 선택적으로 성장시켜서 형성하기 때문에 기존과 같이 식각 또는 이온 주입에 의한 결함이 존재하지 않아 소자의 신뢰성 및 전기적 특성이 향상된다.