일반기술

아연산화물 반도체 제조방법

아연산화물 박막에 첨가되어 있는 도판트를 활성화시킬 수 있는 아연산화물 반도체 제조방법에 관한 것이다.일반적으로 캐리어의 농도 및 이동도가 향상된 n형 또는 p형 아연산화물 반도체의 박막을 제조하기 위하여 로(Furnace)에서 후 공정으로 열처리공정을 실시하지만, 공정에 많은 시간이 소요되고 전체적인 도판트의 분포가 불균일하게 되어 양질의 박막 제작에 어려움이 있었다. 또한 도판트 원자들의 확산이 이루어질 경우 첨가된 도판트들이 박막내에서 다른 원소들과 반응하여 결함으로 작용하는 화합물을 만들게 됨으로써 양질의 고농도 아연산화물 반도체 박막을 제작할 수 없다아연산화물 박막내에 첨가된 도판트를 활성화시킴으로써 전기광학적이 특성이 향상된 아연산화물 반도체의 제조방법을 제공하는 것이다.도판트가 첨가된 아연산화물 박막이 증착된 기판을 열처리 반응기에 안착시키고, 도판트가 활성화되도록 아연산화물 박막을 급속 열처리하는 것을 특징으로 한다. 아연산화물 박막을 급속 열처리 함으로써 도판트 및 산소가 확산할 시간을 주지 않기 때문에 도판트의 확산으로 인한 도핑농도의 불균일이나 도핑효율의 감소를 방지할 수 있고, 전기 광학적 특성이 향산된 n형 아연산화물 반도체를 제작할 수 있으므로 발광다이오드, 레이저다이오드 및 자외선 센서등의 광전소자의 개발에 기여할 수 있으며 상온에서 다결정으로 성장된 알루미늄이 도핑된 아연산화물 박막의 경우에 급속 열처리를 통해서 전기적 광학적 특성을 크게 향상시킬 뿐 아니라, 열처리를 실시하기 위해 반응기 내의 분위기를 반드시 산소분위기로 형성할 필요하 없이 여러 종류의 기체분위기에서도 가능하게 됨으로써 아연산화물 반도체를 이용한 광전소자를 용이하게 제조할 수 있다