일반기술

질화물 반도체 소자에 사용되는 오믹금속 제조방법

질화물반도체 소자에 사용되는 오믹금속전극 제조방법에 관한 것이다.종래의 Au대신에 Ru와 RuOx를 커버층으로 사용함으로써 대기중의 산소, 탄소 및 H2O등과 같은 오염원의 침입을 방지하고, 접촉층-질화물 반도체 계면에 안정한 금속-갈륨 금속간 화합물이 형성되도록 한 p형 오믹금속전극과,종래의 Ni이나 Pt대신에 Ru를 확산장벽으로 사용함으로써 열처리시 오믹 특성에 도움이 되는 티타늄 질화물과 같은 금속-질화물상의 계면의 붕괴없이 효과적으로 형성되도록 한 n형 오믹금속전극의 제조방법을 제공한다질화물반도체 소자에 사용되는 오믹금속전극 제조방법에 관한 것으로서, Ru 및 RuOx를 커버층으로 사용하는 p형 오믹금속 제조방법 또는 Ru를 확산방지막으로 사용하는 n형 오믹금속전극 제조방법에 관한 것이다.p형 질화물반도체 상에 접촉층 및 Ru층을 순차적으로 형성하고, 산소함유 분위기에서 열처리하는 단계를 포함하는 것과,p형 질화물반도체 상에 접촉층 및 Ru층을 순차적으로 형성하고, 상기 Ru층을 산소분위기에 노출시킨 후에 열처리하는 단계를 포함하는 것과,p형 질화물 반도체상에 접촉층, 금속층 및 RuOx층을 순차적으로 형성하고, 열처리하는 단계를 포함하는 것과,n형 질화물 반도체상에 접촉층, Ru층 및 도전층을 순차적으로 형성하고 열처리하는 단계를 포함하는 것을 각각의 특징으로 하는 오믹금속전극 제조방법에 관한 것이다.우수한 열적, 전기적 특성에 의해서 금속-질화물반도체 계면에서의 전기적 손실이 줄어들게 되고, 이로인해 구조적 특성상의 퇴화가 방지되어 단파장 청색/녹색 레이저 다이오드 및 초고속 전자소자 개발등에 있어서, 고품위 광소자/전자소자 개발을 구현하는데 큰 파급효과를 미치게 된다