일반기술

오믹 접촉용 금속박막 및 그 제조방법

질화물 반도체 소자에서 개발된 오믹(Ohmic) 접촉 물질 시스템에 금(Au)을 커버층으로 사용되고 있으나 대기중 산소가 반도체 접촉층까지 침투하여 금속층 계면에 산화 오염층이 형성되어 오믹특성이 깨어져 이를 해결하기 위해, 산소 침입을 막고 빛의 투과성질을 개선시키기 위한 금속 오믹 접촉시스템의 개발 노력으로 S.J. Pearton에 의해 발표된 기술은 비접촉 저항영역에 문제가 있고, 무라카미에 의해 발표된 Ta/Ti 접촉 시스템 기술은 비접촉저항은 우수하나 상온에서 인정되지 않는 한계점을 나타내고 있다. 따라서 열적/화학적/구조적 안정성이 우수한 루세니윰을 커버층으로 사용하여 대기 중 산소 영향에 안정하고 광투과율 향상 및 낮은 비접촉 저항을 갖는 우수한 오믹 접촉이 형성되도록 하는 금속 박막을 제공하게 되었다반도체 기판위에 오믹 전극 금속을 증착하여 접촉층을 형성한 후 접촉층 위에 루세니윰을 증착하여 커버층을 형성하는 금속박막 제조방법으로 아래와 같은 단계를 따른다.1) 각종 반도체 기판 위에 오믹 전극 금속을 증착한 접촉층형성2) 접촉층 위에 루세니윰을 증착한 커버층을 포함한 오믹 접촉층 금속 박막 상기 커버층에 루세니윰 산화층을 더 포함하여 반도체와 금속층 계면이 산소의 영향을 거의 받지 않아 산화오염층 형성이 방지되어 금속-반도체 간 장벽의 높이를 더욱 효과적으로 낮출수 있도록 한다. 아울러 전기적으로 안정한 오믹 접촉이 가능해짐로 소자 개발시 계면에 발생되는 열에 의한 자연 배출구의 기능까지 더 하게 되어 열적 특성이 우수한 소자 개발이 가능하다