일반기술

레이저를 이용하는 질화물 반도체의 억셉터 활성화 방법

레이저를 이용하는 질화물 반도체의 억셉터 활성화 방법에 관한 것이다.MOCVD법으로 p형 질화갈륨박막을 성장시킬 경우, 수소원자가 p형 질화갈륨 내에 존재하는 Mg 억셉터와 결합하여 Mg-H 복합체를 형성하여 Mg 억셉터가 활성되지 않는다.Mg 억셉터 활성화방안으로 전자빔 조사법은 스캔시간이 느려서 실용화가 거의 불가능하고, 열처리법을 이용하는 경우는 약 20분 이상의 처리시간이 소요되며, 자외선 램프를 이용하는 경우에는 약 60분 이상의 처리시간 및 열처리가 병행되어야 하는 문제가 있었다.수분 이내의 짧은 시간내에 간단하게 질화물 반도체 내의 억셉터를 활성화시킬 수 있는 질화물 반도체의 억셉터 활성화 방법을 제공한다질화물 반도체 내의 정공농도가 증가되도록 질화물 반도체에 레이저를 조사하여 상기 질화물 반도체에 도핑된 억셉터를 활성화시키는 것을 특징으로 하는 질화물 반도체의 억셉터 활성화 방법에 관한 것이다.레이저는 1.5~6.5eV 범위의 에너지를 가지는 것이 바람직하며, 상기 억셉터는 Mg, Zn, Be, Cd, Ba, Ca 또는 C일 수 있다.수분이내에 질화물 반도체 내의 억셉터를 활성화시킬 수 있으므로 소자의 대량생산에 적합하며, 빔 균일화 렌즈를 사용할 경우에는 대면적의 소자 전체를 손쉽게 활성화시킬 수 있고, 레이저를 사용하기 때문에 매우 얕은 깊이만을 선택적으로 활성화시킬 수 있다