일반기술

n형 산화아연계 반도체를 이용한 발광다이오드용 금속전극 및 그의 제조방법

고온의 녹는점을 가지는 금속을 이용하여 고온에서도 안정한 고품위 오믹접촉을 형성시킨, n형 산화아연계 반도체를 이용한 발광 다이오드에 사용되는 금속전극 및 그 제조방법에 관한 것이다.광소자 구현을 위해서는 반도체와 금속간에 양질의 오믹접촉을 형성해야 하므로, n형 산화아연계 반도체에서 오믹접촉 특성의 저하를 극복하고자 반응층과 주입층 사이에 아연의 외부확산을 억제시키는 확산장벽으로 여러 금속을 사용하였지만 300℃ 이상의 고온에서는 만족할 만한 효과를 거두지 못했다. 고온에서 열적, 전기적, 구조적으로 우수한 오믹접촉을 형성하는 n형 산화아연계 반도체를 이용한 발광다이오드용 금속전극 및 그 제조방법을 제공한다.1500~3500℃의 녹는점을 가지는 전이금속 또는 전이금속으로부터 선택된 적어도 어느 하나를 포함하는 함금으로 이루어지거나 In 또는 In 화합물로 이루어지는 것을 특징으로 한다. 이때 전이금속은 Ru, Hf, Ir, Mo, Re, W, V, Pt, Pd 또는 Ta으로 이루어지며, In 화합물은 InSn, InZn, InMg 또는 InGa으로 이루어진다.상기의 n형 산화아연계 반도체를 이용한 발광다이오드용 금속 전극은 고온에서도 낮은 비접촉저항 및 평탄한 금속전극 표면을 유지하여 산화아연계 반도체의 발광소자 및 레이저 다이오드 개발에 이용될 수 있고, 고온에서 안정한 산화물층을 전도층 및 확산장벽으로 이용하게 됨으로써 발광다이오드 제작시 부가적 공정을 줄일 수 있으므로 산화아연계 반도체의 상업화를 가속화시킬 것이다.