일반기술

질화갈륨계 발광다이오드 및 그 제조방법

질화갈륨계 반도체는 절연체인 사파이어(a-Al2O3) 기판 상에 성장시켜 p-n 접합 형태의 질화갈륨계 발광다이오드에 이용하고 있다. 종래 사파이어 기판상에 박막을 형성하는데 있어, 상대적으로 비저항이 큰 p형 질화갈륨 박막에서의 전류 확산이 크게 저하되어 전류의 불균일을 초래하고 전류가 국부 영역에 집중적으로 흘러 발광에 대한 신뢰성에도 문제점을 가지고 있어, 이를 해결하기 위해 투명전극을 형성하여 전류 확산층(current spreading layer)으로 이용하였으나, 투명전극의 두께에 따라 비접촉저항이 변화됨으로써 투명전극으로 적절한 비접촉저항을 형성하기가 어려운 문제점을 갖게 된다. 따라서 투명전극의 필요 없이 전극의 구조 변화만으로 전류의 균일한 분포가 가능한 질화갈륨계 발광다이오드를 제공하고자 한다전류의 균일한 분포를 이루는 전극구조를 가진 질화갈륨계 발광다이오드를 실현하기 위하여 다음과 같은 구조를 갖는 발광다이오드를 제공한다. 기판상에 자신들끼리 연결되는 복수의 제1핑거 및 이와 더 낮게 위치한 제2핑거, 제1핑거와 제2핑거가 교대로 배열되는 n형 질화갈륨 박막, 상기 박막위의 제1핑거들 상면의 발광층, 그 위의 p형 질화갈륨계 박막, 상기 p형 질화갈륨계 박막상의 상기 제1핑거들과 같은 형상의 p형 전극 및 상기 n형 질화갈륨계 박막의 상기 제2핑거들 상에 상기 제2핑거들과같은 형상으로 형성되는 n형 전극이 구비된 질화갈륨계 발광다이오드(도면참조) 이때 기판은 사파이어로 이루어지며 상기 기판과 상기 n형 질화칼륨계 박막 사이에 완충층이 더 구비되거나, 제1핑거들 및 상기 제2핑거들이 스트라이프 타입도 가능하며 상기 p형 질화갈륨계 박막 및 사기 n형 질화갈륨계 박막은 질화갈륨, 알루미늄질호갈륨 또는 인듐질화갈륨으로 이루어져도 좋고, 발광층은 양자우물 구조로 하여도 좋다