일반기술

이종접합 소자 제작을 위한 게이트층의 선택에칭 방법

본 기술은 이종접합 소자 제작을 위한 게이트층의 선택에칭 방법에 관한 것으로, 특히 구연산과 과산화수소의 혼합액을 사용하여 습식 에칭을 통한 선택 에칭을 수행함으로써 소자 특성의 균일도와 수율이 우수한 GaAs/AlxGa1-xAs HEMT 소자를 제작하는 방법에 관한 것으로, 본 기술은 GaAs/AlxGa1-xAs (x=0.1 내지 1.0)로 구성된 이종접합 반도체 기판위에 반도체 소자를 제작할 때, 50% 구연산 수용액과 과산화수소를 1:1 내지 3:1 범위의 중량비로 혼합하여 얻은 용액을 사용하여 GaAs 층만을 선택적으로 에칭하는 방법을 제공한다.본 기술의 구연산계의 선택에칭용액을 사용하여 에칭하면, 종래의 건식에칭에 의한 격자결함 형성 등의 단점 및 종래의 습식에칭에 의해 발생되는 에칭의 불균일도 등의 단점을 해결할 수 있으며, 동시에 소자특성의 균일도가 우수한 GaAsHEMT 소자를 제작할 수 있다