일반기술

저 접촉저항을 갖는 부정규형의 고전자 이동 트랜지스터 소자용 옴 전극의 제조방법

본 기술은 열 안정성 및 접촉저항성이 개선된 PHEMT의 Pd/Ge계 옴 전극의 제조방법에 관한 것으로, 구체적으로는 종래의 Ge/Pd/PHEMT 구조 위에, As의 외부 확산을 억제시킴으로써 열 안정성을 향상시키는 확산 방지막인 Ti 층과 접촉저항을 낮출 수 있는 Au 층이 추가적으로 증착된, 낮은 접촉저항과 향상된 열 안정성을 가진 새로운 옴 전극의 제조방법에 관한 것으로, 종래의 Ge/Pd/PHEMT 구조 위에, As의 외부 확산을 억제시킴으로써 열안정성을 향상시키는 확산 방지막인 Ti 층과 접촉저항을 낮출 수 있는 Au 층을 추가적으로 증착시킴으로써 상기 문제점을 해결할 수 있음을 발견하고 본 기술을 완성하게 되었다. 본 기술은 GaAs/AlxGa1-xAs/InGaAs(x=0.1∼0.5)로 구성된 PHEMT 반도체 소자용 옴 전극의 제조에 있어서, 종래의 Ge/Pd/PHEMT 구조 위에, As의 외부 확산을 억제시킴으로써 열 안정성을 향상시키는 확산 방지막인 Ti 층과 접촉저항을 낮출 수 있는 Au 층을 추가적으로 포함하도록 제조하는 것을 특징으로 하는 방법을 제공한다.본 기술은 접촉저항이 낮으면서도 열 안정성이 향상되어 종래의 Ge/Pd/PHEMT에 비해 50배 더 작은 최소 접촉저항을 가진 옴 전극을 제조할 수 있다.본 기술의 제조방법으로 얻어진, PHEMT 반도체 소자 제작용 Au/Ti/Ge/Pd 구조의 옴 전극은 접촉저항을 낮춤과 동시에 열안정성을 향상시켜 종래의 Ge/Pd 구조의 옴 전극에 비해 50배 더 작은 최소 접촉저항을 달성할 수 있다.