일반기술

구리 박막의 식각 방법

본 기술은 반도체 소자 등의 금속 배선시에 사용되는 구리 박막을, 보다 경제적이고 간단한 방법으로 식각시키는 방법에 관한 것으로, 구체적으로는 오존, 또는 산소 또는 오존 플라즈마를 이용하여 구리박막을 산화하고 β-디케톤 계열의 화합물을 이용하여 식각하는 것을 특징으로 하는 방법에 관한 것으로, 반도체 소자의 금속배선시에 사용되는 구리 박막을 보다 간단하고 경제적인 방법으로 산화 및 식각시킴으로써 식각 속도를 효율적으로 조절하고자 하는 것이다.상기 목적을 달성하기 위하여, 본 기술에서는 구리 박막을 오존, 또는 산소 또는 오존 플라즈마를 이용하여 산화시킨 다음, 산화된 구리에 β-디케톤(diketone) 계열의 식각 반응 기체를 도입하여 반응시키는 것을 특징으로 하는 구리 박막의 식각 방법을 제공하고, 구리 박막을 오존, 또는 산소 또는 오존 플라즈마를 이용하여 산화시킴과 동시에 β-디케톤 계열의 식각 반응 기체와 반응시키는 것을 특징으로 하는 구리 박막의 식각 방법을 제공한다.본 기술의 구리 박막의 식각 방법은 소량의 산화제 및 식각 반응 기체를 사용하면서 종래기술보다 낮은 온도에서도 식각이 가능한 방법으로서 반응 조건에 따라 식각 속도를 효율적으로 조절할 수 있다.