일반기술

저온 팔라듐/게르마늄 옴 전극을 이용한 자기정렬 게이트 트랜지스터 소자의 제조방법

본 기술은 저온 팔라듐/게르마늄(Pd/Ge) 옴 전극을 이용한 자기정렬 게이트 트랜지스터 소자의 제조방법에 관한 것으로, 구체적으로는 옴 전극 제작 공정 전에 게이트 전극을 제작함으로써 게이트 전극의 정렬도가 향상되고 게이트 전극 패턴이 더욱 미세하게 형성된 자기 정렬된 게이트 전극을 지닌 트랜지스터 소자를 제조하는 방법에 관한 것으로, 게이트 전극의 정렬도가 향상되고, 게이트 전극 패턴이 더욱 미세하게 형성될 수 있는 자기정렬 게이트트랜지스터 소자의 제조방법에 관한 것이다.상기 목적을 달성하기 위하여 본 기술에서는 GaAs 또는 InP 층을 포함하는 기판을 갖는 트랜지스터 반도체 소자의 제조방법에 있어서, 게이트 전극 제작 후, Pd와 Ge를 차례로 증착하고 열처리하여 옴 전극을 제작하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 제조방법을 제공한다.본 기술의 방법에 따라 옴 전극 형성 전에 게이트 전극을 형성함으로써 보다 미세한 패턴으로 자가 정렬된 게이트 전극을 갖는 PHEMT 반도체 소자를 제조할 수 있으며, 본 기술의 PHEMT 소자는 접촉저항 및 주파수 특성이 향상되어 통신용 소자등에 유용하게 사용될 수 있다.