일반기술

이종 접합 반도체 소자의 GaAs/AlGaAs 선택적 식각방법 및 이를 이용한 비정형 고 전자 이동도 트랜지스터의 제조방법

본 기술은 반도체 소자의 제조 방법에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는 이종 접합 반도체 소자의 GaAs/AlGaAs 선택적 식각 방법 및 이를 이용한 비정형 고 전자 이동도 트랜지스터의 제조 방법에 관한 것으로, GaAs막의 식각 속도가 크고 AlGaAs막의 식각 속도가 작아서 AlGaAs막에 이르러서 식각이 정지되는 새로운 식각 용액을 사용함으로써 이종 접합 반도체 소자의 GaAs/AlGaAs막을 선택적으로 식각하는 방법을 제공하고, 식각 방법을 사용하여 비정형 고 전자 이동도 트랜지스터를 제조하는 방법을 제공하는 것이다.본 기술에 따른 이종 접합 반도체 소자의 GaAs/AlGaAs 선택적 식각 방법은, AlGaAs /GaAs의 이종 접합 구조를 포함하는 이종 접합 반도체 소자의 GaAs/AlGaAs 선택적 식각 방법에 있어서, 습식 식각 방법을사용하되, 사용되는 식각 용액은 구연산과 시트르산 칼륨을 섞은 용액에 소정 부피비로 과산화수소가 혼합된 용액을 사용하는 것을 특징으로 한다.본 기술은 습식 식각 방법을 사용하되, 사용되는 식각 용액은 구연산과 시트르산 칼륨을 섞은 용액에 소정 부피비로 과산화수소가 혼합된 용액을 사용한다는 점에 그 특징이 있다. 본 기술에 따른 이종 접합 반도체 소자의 GaAs/AlGaAs 선택적 식각 방법 및 이를 이용한 비정형고 전자 이동도 트랜지스터의 제조 방법에 의하면, GaAs/AlGaAs 선택적 식각을 위한 식각 용액으로서 구연산과 시트르산칼륨 용액을 혼합한 용액을 사용함으로써 종래의 건식 식각에서의 이온들에 의한 격자 결함 발생 및 종래의 습식 식각에서의 식각 불균일 발생과 같은 단점을 해결할 수 있으며, 이에 따라 제조된 비정형 고 전자 이동도 트랜지스터의 경우 그전기적인 특성의 균일도가 향상된다는 이점이 있다.