일반기술

구리의 화학 증착에 유용한 유기 구리 전구체

본 기술은 구리의 화학 증착에 유용한 유기 구리(I) 전구체에 관한 것으로, 보다 상세하게는 반도체 공정 중 구리 배선제조에 유용하게 활용할 수 있는 유기 구리(I) 전구체에 관한 것으로, 열적으로 안정하며 상온에서 액체로 존재하여 구리의 저온 화학증착에 특히 적합하면서도 높은 증착 속도로 구리 박막을 형성할 수 있는 액상 유기 구리(I) 전구체를 제공하는데 그 목적이 있다.본 기술에 따른 유기 구리(I) 화합물은 열적으로 안정하고 상온 내지 60 ℃ 범위 온도의 버블러(bubbler)에서 기화시킬수 있으므로 구리 박막의 화학 증착에 편리하게 사용할 수 있다. 본 기술의 유기 구리(I) 전구체는 직접 액체 주입 시스템에 의해 주입될 수도 있다.본 기술의 화합물을 전구체로 사용하여 화학증착법에 의해 기판 상에 구리박막을 증착시키는 공정은 통상의 방법으로, 예를 들면 본 기술의 전구체 화합물을 기화시킨 다음 생성된 기체를 운반 기체와 함께 가열된 기판에 도입함으로써 달성할 수 있다. 화학 증착시 운반 기체로는 아르곤과 같은 불활성기체를 사용하며, 기판으로는 백금, 실리카, TiN 기판 등을 사용할 수 있다.본 기술은 구리 박막을 화학증착에 의해 형성할 때 유용하게 사용할 수 있는 하기 화학식 1의 유기 구리(I) 전구체에 관한 것으로, 본 기술에 따르는 유기 구리 전구체는 상온에서 액체로 존재하고 높은 증기압과 열안정성을 갖기 때문에 높은 증착속도로 구리를 화학증착시킬수 있으며, 증착된 박막은 낮은 비저항치를 갖는다.본 기술에 따르는 액상 유기 구리(I) 전구체는 상온에서 높은 증기압을 갖고 열안정성이 우수하여 높은 증착속도로 비저항치가 낮은 구리 박막을 화학 증착법에 의해 형성할 수 있다.