일반기술

게르마늄 실리사이드 이종접합 트랜지스터

본 기술은 게르마늄 실리사이드 이종접합 바이폴라 트랜지스터(Germanium Silicide Heterojunction Bipolar Transistor :이하, SiGe HBT라 칭함)에 관한 것으로서, 특히, 베이스 영역의 게르마늄 몰분율을 조절하여 온도변화에 안정하고 고주파에서 동작특성을 향상시킬 수 있는 SiGe HBT에 관한 것으로, 온도 변화에 의한 최대전류이득의 변화를 안정화시킴과 동시에 베이스의 두께를 두껍게하여 초고속으로 동작할 수 있는 SiGe HBT 를 제공함에 있다. 본 기술은 제1도전형의 불순물이 도핑된 실리콘의 반도체 기판, 제 2 도전형의 불순물이 고농도로 도핑된 실리콘의 콜렉터 접촉 영역, 제2도 전형의 불순물이 도핑된 실리콘의 콜렉터 영역, 제1도전형의 불순물이 고농도로 도핑된 게르마늄 실리사이드의 베이스 영역, 제2도전형의 불순물이 도핑된 실리콘의 에미터 영역,제2도전형의 불순물이 고농도로 도핑된 실리콘의 에미터 접촉 영역과, 에미터 전극, 베이스 전극 및 콜렉터 전극을 포함하여 구성한다.게르마늄 실리사이드의 베이스 영역은 게르마늄의 몰분율이 18% 내지 22%인것 을 특징으로 하는 게르마늄 실리사이드 이종접합 트랜지스터를 제공하므로써, 온도(T) 변화에 따른 최대전류이득(βmax )의 변화를 안정화시킬 수 있으며, 또한, 베이스의 두께를 두껍게 하여 초고속으로 동작시킬 수 있는 효과가 있다.