일반기술

이종접합 바이폴라 트랜지스터의 개선된 구조 및 제조 방법

본 기술은 이종접합 바이폴라 트랜지스터(Heterojunction Bipolar Transistor : 이하, HBT라 칭함)에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는 온도 안정용 베이스 저항 및 우회 축전기를 보다 효율적으로 형성한 이종접합 바이폴라 트랜지스터의 개선된 구조 및 그 제조 방법에 관한 것으로, 베이스 영역을 온도 안정용 저항으로 사용하고, 공핍 보호층을 우회 축전기로 사용할 수 있는 이종접합 바이폴라 트랜지스터의 개선된 구조와 그 제조 방법을 제공하는 데 있다.상술한 목표를 달성하기 위한 본 기술의 일관점에서는, 이종 접합 바이폴라 트랜지스터에 있어서, 반절연성 반도체 기판의 상부에 형성된 콜렉터 접촉층; 상기 콜렉터 접촉층의 중앙 상부에 순차적으로 형성된 콜렉터층 및 베이스층; 상기 콜렉터층 및 베이스층이 형성되지 않은 상기 콜렉터 접촉층의 외곽 상부에 상기 콜렉터층 및 베이스층과 소정 간격 이격되어 형성된 콜렉터 전극; 상기 베이스층의 중앙 상부에 형성된 공핍 보호층; 상기 공핍 보호층의 중앙 상부에 상기 공핍 보호층과 동일한 물질로 형성된 에미터층; 상기 에미터층의 상부에 형성된 에미터 접촉층; 상기 에미터 접촉층의 상부에 상기 에미터 접촉층보다 넓은 범위로 형성된 에미터 전극; 상기 에미터 전극, 에미터 접촉층, 에미터층과 소정 간격 이격된 상기 베이스층 및 공핍 보호층의 상측 일부에 형성된 베이스 전극으로 이루어진 이종접합 바이폴라 트랜지스터의 구조를 제공한다.이종접합 바이폴라 트랜지스터는 베이스 전극과 공핍보호층이 겹치는 부분의 하단에 형성된 베이스층이 온도 안정용 저항으로 작용하고, 베이스 전극 하부에 형성된 공핍 보호층이 우회축전기로 작용하므로, 추가 공정 및 면적 증대 없이도 온도에 대한 안정성과 고주파에서의 우수한 효율, 이득, 출력 특성을 얻을 수 있다.