일반기술

수정된 화학기상증착법에 의한 광섬유모재 제조방법 및 이를 이용하여 제조된 비선형광섬유

본 기술은 석영유리관 양 끝단을 부분함몰시킨 후 불순물성분 도핑공정을 수행함으로써, 안정적인 불순물 성분의 도핑을 수행함과 더불어 도핑 물질의 양을 증가시킬 수 있는 기술에 관한 것이다.기존의 광섬유모재 제조방법은 현재까지의 불순물 성분의 사이즈보다 큰 사이즈, 즉 수 nano크기의 반도체 미립자를 도핑하는데에는 어려움이 있다. 이에, 불순물성분 도핑장치는 코어층의 소결부분을 제한하여 도핑되는 불순물성분의 양을 한정시키도록 하고 있다. 그러나, 이와 같이 불순물성분의 도핑 양을 제한하는 것은 불순물의 도핑양에 의해 영향을 받는 기능성 광섬유, 특히 비선형 광섬유의 특성을 제한하는 결과를 낳게 되는 문제가 있다.따라서, 본 기술은 클래딩층과 코어층이 형성된 광섬유모재의 시작부분과 끝부분을 부분 함몰시킨 후, 불순물성분의 도핑공정을 수행하도록 함으로써, 기존 광섬유모재 생성장치를 통해 광섬유모재의 코어층이 균일하게 형성되도록 불순물성분을 도핑하고, 다소 큰 사이즈의 반도체 미립자를 도핑하여 안정적인 비선형특성을 갖는 비션형광섬유를 제공하고자 한다.본 기술에 의한 수정된 화확기상증착법에 의한 광섬유모재 제조방법은 석영유리관 내에 클래딩층 및 코어층을 형성하고, 코어층을 부분소결하여 이 부분소결된 부분에 불순물성분을 도핑시켜 소정 기능을 갖는 광섬유모재를 생성하고, 클래딩층 및 부분소결된 코어층이 형성된 석영유리관의 양 끝단을 부분 함몰시킨 후, 불순물성분을 도핑시키도록 한다.본 기술에 의한 비선형 광섬유는 석영유리관 내에 클래딩층 및 코어층을 형성하고, 코어층을 부분소결한 후 석영유리관의 양 끝단을 부분 함몰시키고, 부분 함몰된 석영유리관으로 소정 불순물성분을 도핑하여 생성한다.이와 같이 이루어진 본 기술에 의하면, 석영유리관의 양단을 부분 함몰시킨 후, 불순물성분이 함유된 물질, 예컨대 반도체 미립자를 도핑시킴으로써, 별도의 장치 없이 기존 광섬유모재 제조장치를 이용하여 안정적인 불순물성분 도핑공정을 수행할 수 있게 됨은 물론, 이에 따라 안정적인 특성을 갖는 비선형 광섬유를 생성할 수 있다.