일반기술

평탄한 감쇄이득을 갖는 광감쇄기용 광섬유

본 기술은 소정 파장대역에서 광흡수율이 음의 기울기특성을 갖는 제 1금속이온과 소정 파장대역에서 광흡수율이 음의 기울기특성을 갖는 제 2금속이온을 광섬유의 코어층에 도핑하여 소정 파장대역에서의 광 감쇄특성이 평탄한 감쇄기능을 갖는 광감쇄기용 광섬유에 관한 것이다.기존의 전송측으로부터 출력되는 신호의 레벨이 고출력신호이고 수신장치가 전송측과 가까운 곳에 설치되어 있는 경우에는 수신장치에서는 전송측으로부터 고출력으로 수신되는 신호를 정확하게 검출하지 못한다. 이에, 광신호 수신장치의 전단에서 수신되는 광신호의 레벨을 감쇄시키는 방법이 이용되고 있다. 그러나, 필터 형태의 광감쇄기는 광신호를 감소시키는 영역이 너무 작아 미세한 흡수의 정도를 조절하기 어렵다는 문제가 있다.따라서, 본 기술은 광섬유의 코어에 광신호대역에서 광흡수율이 음의 기울기특성을 갖는 금속이온과 양의 기울기특성을 갖는 금속이온을 도핑하되, 광신호대역에서 평탄한 감쇄특성을 갖고, 광섬유의 코어에 광신호대역에서의 광흡수율이 감소하는 금속이온이 첨가된 광섬유와 광신호대역에서의 광흡수율이 증가하는 금속이온이 첨가된 광섬유를 직렬로 결합하여 광신호대역에서 평탄한 감쇄특성을 갖는 광감쇄기용 광섬유를 제공하고자 한다.본 기술에 의한 광감쇄기용 광섬유는 코어층에 소정 파장대역에서 광 흡수특성이 하강하는 제 1금속이온인 철(Fe), 크롬(Cr), 망간(Mn) 성분중 적어도 하나 이상의 성분과, 소정 파장대역에서 광 흡수특성이 상승하는 제 2금속이온인 코발트(Co)성분이 코도핑되어 구성된다. 또한, 코어층에 소정 파장대역에서 광 흡수특성이 하강하는 제 1금속이온인 철(Fe), 바나듐(V), 크롬(Cr), 망간(Mn) 성분중 적어도 하나 이상의 성분과, 소정 파장대역에서 광 흡수특성이 상승하는 제 2금속이온인 니켈(Ni)성분이 코도핑되어 구성된다. 이와 같이 이루어진 본 기술에 의하면, 소정 광신호파장대역에서 음의 기울기특성을 갖는 제 1금속이온과, 양의 기울기특성을 갖는 제 2금속이온, 특히 철(Fe)이나 크롬(Cr), 망간(Mn)과 같은 제 1금속이온과 니켈(Ni)이나 코발트(Co)와 같은 제 2금속이온을 광섬유의 코어층에 도핑하거나, 제 1금속이온이 도핑된 광섬유와 제 2금속이온이 도핑된 광섬유를 직렬로 결합하여 소정 레벨의 평탄한 감쇄이득을 갖을 수 있다.

기술정보

기술분류
전기·전자 > 반도체 재료 (B63)
보유기관
특허법인충정
기술유형
일반기술
등록일
2001-06-20
데이터 갱신일
정보 없음

상세설명

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