일반기술

오믹접촉 형성을 이용한 다이오드용 금속박막 및 그의 제조방법

오믹접촉 형성을 이용한 다이오드용 금속박막 및 그의 제조방법에 관한 것으로 P-형 질화갈륨판에 금속을 증착시키기 전에 반도체위의 탄소와 산소층을 세척하여 불순물을 제거하고 진공하에 니켈, 백금, 금을 중간분산 장벽제로 백금 또는 니켈을 사용하여 증착시킨 후 250-1000℃의 온도로 질소 또는 아르곤 분위기 하에서 10초-3시간 열처리하여 발광 다이오드용 금속 박막을 제조한다. 제조된 금속박막은 낮은 접촉저항값을 가지며 전자선 주사 현미경으로 관찰한 결과 매우 균일한 표면 상태를 나타냈다. 또한, 우수한 전류-전압 특성을 나타내어 전기적 손실이 감소되므로 광학적 효과가 높다. 따라서, 발광 다이오드 또는 레이저 다이오드의 질을 한층 더 높일 수 있다.청색빛을 내는 단파장 발광다이오드(LED: blue light emitting diode) 제작시 핵심기술중의 하나인 오믹접촉(ohmic contact)의 품질은 광 디바이스의 수율에 큰 영향을 미치는 조건이다. 오믹접촉 조건 중 금속시스템에 있어서 기존에는 니켈/금, 백금/금이 주로 사용되어 왔으나 p-형 질화갈륨 위에 니켈/백금/금 또는 백금/니켈/금으로 된 금속박막을 증착시켜 보다 우수한 열적, 전기적, 구조적 특징을 얻을 수 있었다. 발광 다이오드용 금속박막은 분산장벽으로 백금 또는 니켈을 사용함으로써 매우 양호한 표면균일도를 갖게 되었으며 연속파장 모드에서의 광 디바이스의 전기적, 광학적 효율을 증가시켰다.