일반기술

MG이 도핑된 P-형 질화갈륨(GAN) 박막의 제조방법

이단계의 저온단계(low temperature step)는 400∼650℃에서 4∼20분 동안, 고온단계(high temperature step)는 750∼1,000℃에서 0.5∼5분 동안 질소분위기 하에서 급속열처리하하여 MG이 도핑된 P-형 질화갈륨(GAN) 박막을 제조한다. 이단계 급속열처리하여 우수한 전기적 특성과 결절성을 보이기 때문에 청색 발광다이오드(blue light emitting diode : blue LED)나 레이져 다이오드(laser diode : LD)같은 광소자와 전자소자에 응용할 수 있다.기존의 일단계 급속열처리과정을 이용한 것보다 우수한 전기적 특성과 결정성, 표면 거칠기 특성을 지닌 Mg이 도핑된 P-형 질화갈륨 박막을 제조하는 기술로 유기금속 화학증착법에 의하여 Mg이 도핑된 질화갈륨 박막을 성장시킨후 저온단계에서 장기간, 고온단계에서 단기간으로 이단계 급속열처리(two step rapid thermal annealing : RTA) 함으로써 MG-H 복합체로부터 Mg 억셉터를 활성화시켜 고성능 P-형 질화갈륨 박막을 얻는다.이단계 급속열처리하여 우수한 전기적 특성과 결절성을 보이기 때문에 청색 발광다이오드(blue light emitting diode : blue LED)나 레이져 다이오드(laser diode : LD)같은 광소자와 전자소자에 응용한다. 표면 거칠기 특성상 매우 우수하므로 양질의 오믹접촉(ohmic contact) 및 양자우물(quantum well)개발에 이용될 수 있으며, 저온에서 이루어지는 저온공정으로 소자내의 도핑 프로파일(doping profile)을 보존할 수 있다.