일반기술

질소 플라즈마, 유기금속 화학기상 증착법

삼원계 질화물 반도체인 질화인듐갈륨의 고유의 특성인 스피노달 분해 특성과 고온 급속 열처리 과정을 이용하여 백색 발광을 하는 백색 발광 다이오드를 제조한다. 제조 방법은 사파이어 기판 위에 성장된 n-형 질화갈륨 위에 질화인듐갈륨 박막 성장시 성장 조건을 조절하여 자주색에서 파란색 영역에 이르는 발광 특성을 내는 상과 녹색에서 적색 영역에 이르는 발광 특성을 내는 상을 형성시킨 후 고온 급속 열처리하여 박막 표면을 열적으로 평탄하게 하고 인듐 함량이 적은 상의 발광 특성을 향상시켜 전체적으로 밝은 백색 발광 특성을 갖는 질화인듐갈륨 단일 활성층을 제조한다. 백색 발광을 하는 질화인듐갈륨 박막을 단일 활성층으로 갖는 백색 발광 다이오드의 제조 방법에 관한 것으로 발광이 효율적이고 소자 제조공정을 획기적으로 단축시킬 수 있다.백색 발광 다이오드를 제조하는 방법 중 청색 또는 자외선 단파장 발광 다이오드에 인과 같은 형광 물질을 결합하는 방법은 단파장 발광 다이오드에 의해서 여기되는 빛을 형광물질이 일정 부분 자체 흡수하여 소자의 효율을 제한하며 반도체성 공액 고분자를 형광 물질 대신 청색 단파장 발광 다이오드와 결합하는 방법은 단파장 발광 다이오드에 추가적인 공정을 필요로 하고 발광효율이 제한되며 고분자 물질에 의해 사용환경이 제한되는 단점이 있다. 기존 방법에 비해 인을 사용하지 않아 발광효율이 높고 소자 제조 공정을 대단히 줄일 수 있어 단일 칩 상태의 백색 발광 다이오드 제조시 매우 경제적이다.