일반기술

질화갈륨 고(高)선택비의 이방성 건식 식각방법

고속 전자이동 트랜지스터나 모듈레이션 도우프 전계 효과 트랜지스터 등의 전자 소자 제작을 위한 질화알루미늄갈륨에 대한 질화갈륨 고(高)선택비의 이방성 식각방법에 관한 것으로 전자소자 제조에 화합물 반도체를 이용하기 위해서는 식각 공정이 필요하며, 질화물 반도체의 경우 화학적으로 안정하기 때문에 습식 식각방법으로는 만족스러운 식각을 얻을 수 없어 건식 식각방법을 사용한다. 기존의 할로겐 기체에 산소, 황 또는 셀레늄을 첨가하고 이들의 플라즈마를 이용하여 할로겐 기체 플라즈마만을 이용한 식각방법에 비해 질화갈륨 고(高)선택비를 갖는 이방성 건식 식각방법이다. 선택비는 10 내지 23 이상으로 높일 수 있어 소자 개발 분야에 큰 영향을 줄 수 있다기존의 방법에 비해 재료내의 내재적인 결합력의 차이 및 질화물 반도체 표면에 큰 결합력의 차이를 갖는 갈륨-산소, 알루미늄-산소와 같은 인위적인 산소 결합을 유도하기 때문에 낮은 알루미늄 함유량에서도 높은 선택비를 나타낼 수 있다. 또한, 반도체 소자의 종류에 따라 유연하게 적용할 수 있어 반도체 제조 분야에서 유용하게 사용할 수 있다.