일반기술

질소-함유 기체의 플라즈마를 이용하여 건식 식각된 질화물 반도체의 표면을 처리하는 방법

건식 식각된 질화물 반도체 표면의 후처리방법으로 100 내지 1000℃ 및 0.1 내지 760 mmHg하에서 건식 식각된 질화물 반도체의 표면을 질소-함유 기체의 플라즈마로 1 내지 60분 동안 처리하는 것이다. 구체적인 질화물 반도체의 예로는 질화갈륨, 알루미늄 질화갈륨 및 인듐 질화갈륨이 있다. 건식 식각은 반응성 이온 식각, 전자공명 플라즈마, 유도결합 플라즈마, 자기장으로 강화된 플라즈마, 반응성 이온 빔 에칭 및 화학적 이온 빔 에칭법 중 하나 이상에 의해 식각된다. 건식 식각에 따른 결함구조를 처리하는 방법에 의해 반도체의 광학적 특성 및 전기적 특성을 향상시킨다전자소자 제조에 화합물 반도체를 이용하기 위해서는 식각 공정이 필요한데, 질화물 반도체의 경우 화학적으로 안정하기 때문에 습식 식각방법으로는 만족스러운 식각을 얻을 수 없어 건식 식각방법을 사용하여야 한다. 기존의 질화갈륨의 건식 식각에 의한 결함구조의 회복 및 제거의 열처리법은 오히려 질화갈륨의 분해를 촉진하고 표면으로부터 질소의 탈착을 증진시켜 비화학양론적인 표면을 생성시키는 문제점을 갖는다. 건식 식각에 의해 질화물 반도체 표면에 형성된 결함구조를 질소-함유 기체 플라즈마 처리에 의해 회복 및 제거함으로써 반도체의 광학적 특성 및 전기적 특성을 향상시키는 방법으로 인해 소자의 안정성과 효율이 증대된다