일반기술
2-6족 화합물 반도체 코어/2-6`족 화합물 반도체 쉘구조의 양자점 및 이의 제조방법
II-VI족 화합물 반도체 코어/II-VI`족 화합물 반도체 쉘 구조의 양자점 및 이를 제조하는 습식 화학법으로 유기용매 중에 II족 및 VI족 원소-함유 지방족 유기금속화합물을 반응시켜 II-VI족 화합물 반도체 코어를 제조하고, 반응액에 VI족 원소보다 밴드갭이 큰 VI`족 원소계 화합물 및 II족 원소-함유 지방족 유기금속화합물을 첨가하여 II-VI족 화합물 반도체 코어 주위에 II-VI`족 화합물 반도체 쉘을 형성한다. 양자점 제조 방법은 쉽고 저렴하며 효율적인 방법으로 미래적 형광체 분야 뿐만 아니라 화학적 촉매, 단일전자 트랜지스터 및 메모리 분야 등에 널리 응용될 수 있는 기술이다.양자점 제조방법은 습식 화학적 방법에 의해 균일한 핵을 생성한 후 소정의 온도와 시간에 따라 핵 주변을 성장시키는 방법으로 양자점의 대표적인 예로는 셀렌화아연 코어/황화아연 쉘 구조의 양자점 및 셀렌화카드뮴 코어/황화카드뮴 쉘 구조의 양자점이 있다. 전 가시광 영역 및 청색에서 자외선 영역까지의 색을 구현하고 높은 발광효율을 갖는, II-VI족 화합물 반도체 코어/II-VI`족 화합물 반도체 쉘 구조의 양자점 및 이를 제조하는 습식 화학법으로 기존의 방법보다 설치 비용과 유지 비용이 저렴하고 대량생산이 가능하여 경제적이고 효율적이다.
기술정보
- 기술분류
- 전기·전자 > 반도체 재료 (B63)
- 보유기관
- 특허법인충정
- 기술유형
- 일반기술
- 등록일
- 2001-05-18
- 데이터 갱신일
- 정보 없음
상세설명
정보 없음
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