일반기술

강유전 박막 제조방법

강유전 박막이 비휘발성 강유전 기억소자의 캐패시터로 이용되기 위해서는 잔류분극의 값이 높아야 하는 반면, 누설전류 값은 낮고 시간 변화에 대한 잔류 및 자발분극 값이 변하지 않아야 하며, 또한 피로 특성이 우수하고 유전손실이 작아야 한다.스퍼터링법에 의하여 증착한 PZT 강유전 박막은 이르곤 가속입자에 의하여 타겟으로부터 떨어져 나올 때 증착막에 손상을 줄 정도로 큰 에너지를 보유한 상태이며, 아울러 플라즈마 내의 전자들과 음이온 등도 기판에 가속되어 증착막에 영향을 미친다.완충층 도입을 통하여 미세 크랙이 없는 우수한 전기적 특성을 보유한 박막 제조가 가능하고, 전극과 박막 계면 부위에서의 산소나 Pb이온의 부족현상을 억제할 수 있으며, 또한 스퍼터 입자들의 에너지를 쉽게 흡수할 수 있어, 강유전물질 박막 응용물에도 적용 가능한 고신뢰성의 PZT 강유전 박막을 구현할 수 있다.스퍼터링 법이나 레이저 에블레이션법을 이용한 PZT 강유전 박막 제조에 있어서, PZT 박막 제조시 잉여의 Pb 성분을 함유한 완충층이 삽입되어 복합 증착되도록 강유전 박막을 형성함으로써, 미세 클랙이 없는 우수한 전기적 특성을 보유한 박막 제조가 가능하고, 전극과 박막 계면부위에서의 산소나 Pb이온의 부족현상을 억제할 수 있으며, 또한 스퍼터 입자들의 에너지를 용이하게 흡수할 수 있고, 강유전물질 박막 응용물에도 적용 가능한 고신뢰성의 PZT 강유전 박막을 구현할 수 있