일반기술

화학 증착에 의한 개구 충전 방법

기판의 전면에 절연층을 형성한 후, 기판의 표면이 소정부분 노출되도록 절연층을 선택적으로 제거하여 개구를 형성하고, 개구를 제외한 절연층의 상부에 흡착 억제층을 형성하며, 흡착 억제층을 증착 방지막으로 증착 공정을 진행하여 개구 내부에 금속층을 형성하고, 흡착 억제층을 제거함으로서 흡착 억제제에 기판이 노출되는 시간을 조절하면서 다양한 박막 성장을 얻을 수 있고, 또한 신뢰성 및 재현성을 향상시킬 수 있다.반도체 소자의 집적도가 증가함에 따라 단위 선폭이 감소하며 또한 더욱 정밀한 미세 가공 기술이 요구되고 있다. 따라서 금속배선 공정 중 개구 충전 공정에 있어서 폭은 줄어들고 더욱 깊은 개구를 효율적으로 채울 수 있는 공정이 필요한 실정이다.그러나 기존에는 전면 박막 형성 방법은 금속층을 전기적으로 분리하기 위하여 식각 및 묘화 공정이 수반되므로 제조 공정이 복잡하였다.반응물의 흡착을 억제할 수 있는 흡착 억제제를 사용하여 적절한 시간동안 기판의 표면을 노출시켜 표면상에 흡착 억제제를 선택적으로 형성하고, 계속하여 흡착 억제제가 형성되지 않은 개구부에 박막을 선택적으로 형성함으로서 신뢰성과 재현성을 향상시킬 수 있다