일반기술

구리 박막의 식각 방법

구리 박막을 오존, 또는 산소 또는 오존 플라즈마를 이용하여 산화시킨 다음, 산화된 구리에 β-디케톤 계열의 식각 반응 기체를 도입하여 반응시키거나, 구리 박막을 산화시킴과 동시에 식각 반응 기체와 반응시켜 식각을 행함으로서 소량의 산화제 및 식각 반응 기체를 사용하면서도 낮은 온도에서도 식각이 가능한 방법으로 반응 조건에 따라 식각 속도를 효율적으로 조절할 수 있다.기존에는 구리 박막의 식각에 할로겐 기체를 사용하여 구리 박막을 구리 할로겐 화합물로 바꾼 다음 탈착시킴으로서 식각하는 방법을 사용하였는데 이는 낮은 증기압 때문에 고온조건이 요구되며, 할로겐 화합물이 박막내로 잔류하게 되어 소자의 특성을 저하시켰다.구리 박막을 오존, 또는 산소 또는 오존 플라즈마를 이용하여 산화시키고 β-디케톤(diketone) 계열의 식각 반응 기체와 반응시키어 식각함으로서 소량의 산화제 및 식각 반응 기체를 사용하면서 기존 기술보다 낮은 온도에서도 식각이 가능한 방법으로서 반응 조건에 따라 식각 속도를 효율적으로 조절할 수 있다

기술정보

기술분류
전기·전자 > 기타 반도체
보유기관
포항공과대학교
기술유형
일반기술
등록일
2001-05-19
데이터 갱신일
정보 없음

상세설명

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