일반기술

변경된 피형 전극구조를 이용한 질화갈륨계 발광 다이오드 및 그 제조방법

변형된 p-형 전극구조를 이용한 질화갈륨계 발광 다이오드 및 그 제조 방법에 관한 것으로 변형된 p-형 전극구조를 이용한 질화갈륨계 발광 다이오드는 n-형 질화갈륨층, n-형 질화갈륨층상에 형성되며 내부 일면이 굴곡 처리된 p-형 질화갈륨층, p-형 질화갈륨층상에 형성되며 내부 일면이 굴곡 처리된 투명 전극, 투명 전극상에 형성되어 중심측의 일단의 모서리가 굴곡 처리된 p-형 전극, n-형 질화갈륨층상에 형성되며 상기 굴곡처리된 p-형 전극의 일단의 모서리와 인접하는 중심측의 모서리가 굴곡 처리된 n-형 전극으로 이루어져있다.높은 비저항값을 갖는 p-형 질화갈륨 박막은 발광소자의 구동시 p-형 질화갈륨 박막층에서 전류의 확산이 어려워져 결국 발광소자의 전기적 및 발광특성이 크게 저하되는 문제점이 있다. 높은 비저항값을 가지는 p-형 질화갈륨 박막층의 전류 확산을 용이하게 하기 위해 기존에는 p-형 질화갈륨 박막위에 얇은 투명전극을 전류확산층으로 사용하는 방법을 썼지만 투명전극의 얇은 두께는 상대적으로 큰 면저항을 야기시켜 고효율의 발광소자를 제작하기에는 어느정도 한계가 있었다. 기존의 문제점을 해결하기 위해 p-형 전극, 질화갈륨층 및 투명전극을 굴곡 형태로 변형시키고, 변형된 p-형 전극구조를 연장 처리하여 투명전극에서의 전류 확산효율을 극대화시킴으로서 전기적 특성 및 발광 특성이 우수한 발광 다이오드를 제조하였다