일반기술

탄소나노튜브 제조방법

리프트-오프법 및 레이저 용발기술 또는 RF 마그네트론 스퍼터링 증착기술을 이용하여 FED용 전자총과 전력증폭소자에 이용되는 균일하고 수직 배향된 탄소나노튜브를 제조하는 방법에 관한 것이다.아크방전법, 레이저 증기화법, PE-HF-CVD법, 열적 CVD방법등 종래의 금속촉매 증착방법들을 이용한 탄소나노튜브의 제조방법은 금속촉매의 금속입자 크기가 매우 커서 나노입자를 생성하기 위해서는 여러 가지 표면처리 기술을 필요로 하였다.레이저 용발기술 또는 RF마그네트론 스퍼터링 증착기술을 이용하여 증착된 금속촉매로 패터닝된 다공성 실리콘 웨이퍼를 사용하여 우수한 전계 방출 특성을 갖는 수직배향된 탄소나노튜브를 성장시키는 방법을 제공한다실리콘 웨이퍼의 뒷면에 금속막을 형성하는 단계와, 상기 금속막이 형성된 실리콘 웨이퍼의 기공을 형성하는 단계와, 상기 기공이 형성된 실리콘 웨이퍼의 앞면에 감광막 패턴을 형성하는 단계와, 상기 감광막 패턴이 형성된 결과물 전면에 금속 촉매층을 형성하는 단계와, 상기 감광막 패턴을 제거하여 상기 감광막 패턴이 형성되지 않은 부분에만 상기 금속촉매층을 잔류시키는 단계 및 상기 잔류 금속촉매층상에 수직으로 탄소나노튜브를 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 탄소나노튜브의 제조방법에 관한 것이다. 전기화학적 에칭법, 리프트-오프법, 레이저 용발기술 또는 RF 마그네트론 스퍼터링에 의한 증착법 등을 이용하여 선택적으로 성장되고 우수한 전계방출 특성을 갖는 수직배향된 탄소나노튜브를 제조할 수 있다