일반기술

입자생성이 억제된 실리콘의 화학증착 방법

플라즈마 화학증착법에 의한 실리콘 박막 증착시 입자 생성을 억제시킬 수 있는 실리콘의 화학증착 방법에 관한 것으로 실란계 기체를 사용하여 플라즈마 화학증착에 의해 실리콘 박막을 제조할 때 사불화규소 또는 불소 기체를 첨가하여 불소의 in-situ 화학적 세정 효과로 산소의 혼입을 억제하는 동시에, 실란계 기체 및 수소와의 반응을 통하여 수소 등 불순물의 혼입을 방지한다. 따라서 순수한 실리콘 막을 얻을 수 있으며 결정성이 우수한 박막을 제조할 수 있다다결정 실리콘 박막을 활성 매트릭스 액정 디스플레이에 사용하는 경우 저가의 유리기판을 사용하여 600도 미만의 저온에서 처리하는데 저온에서는 원자 이동도가 낮고 불순물, 특히 산소가 혼입되므로 결정성 박막이 성장하기가 힘들다는 문제점이 있다.실란계 기체를 도입하여 플라즈마 화학증착에 의해 저온에서 실리콘 박막을 형성하는 실리콘의 화학증착법에의하여 기상반응에 의한 입자 생성을 억제하였으며 불순물의 막내 혼입을 방지하여 실리콘 박막의 결정성을 향상시켰다.다결정 실리콘 박막은 박막 트랜지스터(TFT), 화상 센서 및 LSI 등 여러 용도에 사용된다