일반기술
저온 방식의 발광 실리콘 나노클러스터(nanocluster) 준비
다양한 전구물질(precursor)을 통해 초음파 방사를 이용한 실리콘 클러스터의 나노입자 생산 기술이다. 실리콘의 전기적, 화학적 특성 및 광범위한 가용성을 통해 본 반도체는 다양한 전자 애플리케이션에 쓰이게 되었다. 이 혁신적 실리콘 나노입자는 관련 업계에서 거대한 이용 잠재력을 지니고 있다.탄화수소 용제에서 Si 전구물질 및 적절한 금속 콜로이드간의 단순한 초음파 유도 금속교환 산화 환원 반응으로 Si 나노입자가 형성된다. 이 분말에는 나노결정체 초미립자인 Si가 함유되고 이것은 곧 통제된 표면 유도체화를 허용한다. 나노입자들은 다공성 실리콘(PS)의 지속성과 독특한 X선 회절, UV흡수 및 발광 속성을 나타낸다.혁신적인 사항:실리콘 클러스터의 나노입자는 다양한 전구물질을 통해 초음파 방사에 노출시켜 얻어진다.주요 특징:실리콘의 전기적, 화학적 특성 및 광범위한 가용성을 통해 본 반도체는 다양한 전자 애플리케이션에 쓰이게 되었다. 이 혁신적 실리콘 나노입자는 관련 업계에서 거대한 이용 잠재력을 지니고 있다.
기술정보
- 기술분류
- 전기·전자 > 표시소자
- 보유기관
- 특허법인충정
- 기술유형
- 일반기술
- 등록일
- 2001-07-11
- 데이터 갱신일
- 정보 없음
상세설명
정보 없음
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