일반기술

높은 융해점을 지닌 단일 결정체의 제조를 위한 장치

현재 융해점이 높은 물질들에 많은 관심이 집중되고 있으며, 높은 융해점을 지닌 단일 결정체의 제조를 위한 특수 장비의 개발 필요성이 대두되고 있다. 이 장치는 1300ºC까지의 온도를 발생시키는 발열체 역할을 하는 CSi 저항을 바탕으로 하며, 결정체의 직경을 제어하기 위한 소프트웨어에 의해 프로세스가 제어된다. 이 장치는 완벽하게 컴퓨터화 되어 있으며, 연구 및 교육 기관을 위한 용도로의 개조 또한 가능하다.단일 결정체는 오늘날 기술 분야에 엄청난 영향을 미치고 있으며, 방사선 검출기, 필터, 광전자 스위치, 광 메모리, 레이저 방사 등과 같은 다양한 애플리케이션을 제공하고 있다. 이에 따라 단일 결정체의 제조가 새로운 애플리케이션의 개발과 기존 기술의 최적화를 위한 핵심 포인트가 되고 있다. 특히 융해점이 높은 물질에 커다란 관심이 집중되고 있으며, 이로 인해 높은 융해점을 지닌 단일 결정체의 제조를 위한 특수 장비의 개발 필요성이 대두되고 있다. 이 성장 장치(growth equipment)는 Czochralski 성장 기술을 바탕으로 한다. 이 장치는 1300ºC까지의 온도를 발생시키는 발열체 역할을 하는 CSi 저항을 바탕으로 한다. 발열체는 금속제 컨테이너 내에 위치하여, 그 안에서 물의 흐름을 통한 시스템 냉각과 외계와의 단절을 통해 온도를 더욱 잘 제어할 수 있게 한다. 한편 Pt 도가니(crucible) 용기 안에는 계량기(balance)에 고정된 세라믹 소자들을 위한 분말제가 담겨 있다. 냉각된 금속제 암(arm)은 융해 되는 물질을 시드(seed)하여 성장 프로세스를 시작할 수 있게 한다. 이 프로세스는 결정체의 직경 제어를 가능케 하는 소프트웨어를 통해 제어된다. 혁신적인 사항:컴퓨터에 연결되어 있는 계량기를 통해 결정체의 직경 제어를 통한 성장 프로세스의 제어를 가능케 함으로써, 향후의 애플리케이션을 위한 결정체의 품질 최적화를 가져온다. 주요 장점:1) 이 장치는 완벽하게 컴퓨터화 되어 있다. 성장 프로세스는 처음 결정체가 싹틀 단계로부터 최종 단계에 이르기까지 수작업 없이 자동으로 제어된다. 2) 연구 및 교육 기관을 위한 용도로의 개조가 가능하다.