일반기술

질소화 재료 (Boron Nitride materials)

본 컨셉의 목적은 단일 전구체(single precursor)로부터 입방 질소화 붕소(cBN) 층의 퇴적을 위한 화학기상퇴적(CVD: chemical Vapour Deposition) 프로세스를 개발하는 것이다. BN 재료에 대한 기존의 접근법들은 에너지론적이었고 그 결과적인 물질은 cBN과 육각 BN의 혼합물인데, 이는 특성의 감소로 귀착된다. 본 프로젝트는 입방 BN 층의 형성을 촉진하는 단일 원천 질소화붕소 전구체로부터 CVD를 위한 메커니즘을 조사할 예정이다.--------------------------- 문헌들은 BN의 입방체 형태가 단단하고 기판에 잘 부착하기 때문에 그에 대한 수요가 존재한다고 지적한다. 현재의 퇴적 기술은 c-BN과 육각 BN의 혼합물과 특성의 감소라는 결과를 낳았다. 따라서 본 프로젝트의 목적은 단일 원천 질화붕소 전구체로부터 CVD를 위한 메커니즘을 조사하고 제안하는 것이다. 전구체는 입방 BN층의 형성을 촉진해야 한다. 또한 휘발성이어야 하고 기체 상태 상호작용이 없어야 한다.. 코팅이 탄성이 있고 수명이 더욱 길어지고 쓰레기/에너지 절감에 도움이 되며 CVD를 통해 보다 나은 내열성 범위를 제공하기 때문에, 본 기술은 내열성 물질 시장에 혜택을 줄 것이다. 프로젝트는 다음의 과업들을 포함하는 초기 타당성 조사가 될 것이다: 과업 1 성장률을 극대화할 적절한 붕소 전구체 크기를 결정하기 위한 모델링 분석 임무과업 2 적합한 붕소 전구체들의 합성 (Synthesis) 과업 3 전구체가 될 수 있는 후보 식별을 위한 퇴적률(decomposition rates) 평가 과업 4 - 추후 평가를 위한 프로토타입 내열성 코팅(prototype refractory coatings) 생산을 위한 코팅 시험 과업 5 프로토타입 코팅의 시험 및 평가 혁신적인 사항:화학기상퇴적 접근법이 사용된다; cBN 층, 단일 전구체원(single precursor source); 붕소 합성.주요 장점:저에너지 접근법, 향상된 성능, 개선된 적용 범위.