일반기술

붕소 질화물질

본 연구의 목적은 단일 전구체로부터 입방체의 붕소 질화물(cBN) 층을 침전하기 위해서 화학 기화물 침전(CVP)과정을 개발하는 것이다. BN물질에 대한 기존 접근방식이 효과적이어서, 결과 물질로 나온 것이 입방체의 붕소 질화물과 6각형의 BN의 혼합물이며, 그 성질은 감소되었다. 본 연구는 입방체의 BN 층 형성을 돕는 단일 재료인 붕소 전구체로부터 추출한 CVD의 작용을 검토하게 된다.문헌에 따르면 입방체 형태는 거칠고 기질에 점착이 잘 되므로 이 형태의 BN에 대한 수요가 있음을 지적하고 있다. 현재 침전기술은 c-BN과 6각형의 BN을 혼합물을 생성시켰으며 성질은 감소되었다. 따라서 본 연구의 목적은 단일 재료인 붕소 전구체로부터 CVD 작용을 조사하여 이를 밝히는 것이다. 이 전구체는 입방체 BN 층의 형성을 촉진시켜야 하며, 또한 휘발성이지만 가스 상호작용이 있어서는 안된다. 혁신적인 사항:화학 기화물 침전 방식이 사용될 것이다 ; cBN 층, 단일 전구체 ; 붕소.주요 장점:에너지 절감 방식, 성능 향상, 범위 향상