특허 · 2015 성과 기록
노광장치
- 출원등록기관
- 넥스트론
- 출원국
- 대한민국
- 원자료 구분
- 특허등록
- 사업화 활용
- 상업화
Nextron corp.
사업자등록번호 621-81-73857
원자료 기관명 표기: Nextron corp., 넥스트론, 주식회사 넥스트론, 주식회사넥스트론
자료에 기재된 성과
성과 기록 12건
- 종류별
- 특허 12건
- 원자료 구분별
- 특허등록 11건, 특허출원 1건
- 사업화 활용별
- 미지정 11건, 상업화 1건
- 성과연도별
- 2012 9건, 2014 2건, 2015 1건
특허 · 2014 성과 기록
일정면적에대한 급속 및 균일한 가열과 온도제어가 가능한 블로잉 성형용 히팅유닛
- 출원등록기관
- 주식회사넥스트론
- 출원국
- 대한민국
- 원자료 구분
- 특허등록
- 사업화 활용
- 미기재
특허 · 2014 성과 기록
노광장치
- 출원등록기관
- 주식회사넥스트론
- 출원국
- 대한민국
- 원자료 구분
- 특허출원
- 사업화 활용
- 미기재
특허 · 2012 성과 기록
Method of Manufacturing an instantpulse filter usi
- 출원등록기관
- Nextron corp.
- 출원국
- 미국
- 원자료 구분
- 특허등록
- 사업화 활용
- 미기재
특허 · 2012 성과 기록
양극산화법을 이용한 순간펄스필터 제조방법 및 이에 의해제조된 순간펄스필터
- 출원등록기관
- 주식회사 넥스트론
- 출원국
- 대한민국
- 원자료 구분
- 특허등록
- 사업화 활용
- 미기재
특허 · 2012 성과 기록
급속 열처리 프로세스 장치
- 출원등록기관
- 주식회사 넥스트론
- 출원국
- 대한민국
- 원자료 구분
- 특허등록
- 사업화 활용
- 미기재
특허 · 2012 성과 기록
높은 써지 내량 과 빠른 반응 속도를 갖는 과전압 보호 칩
- 출원등록기관
- 주식회사 넥스트론
- 출원국
- 대한민국
- 원자료 구분
- 특허등록
- 사업화 활용
- 미기재
특허 · 2012 성과 기록
고속 데이터통신라인의 정전방전 방지소자 및 그 제조방법
- 출원등록기관
- 주식회사 넥스트론
- 출원국
- 대한민국
- 원자료 구분
- 특허등록
- 사업화 활용
- 미기재
특허 · 2012 성과 기록
양극산화법을 이용한 나노섬모의 제조방법 및 이에 의해 제조된 나노섬모
- 출원등록기관
- 주식회사 넥스트론
- 출원국
- 대한민국
- 원자료 구분
- 특허등록
- 사업화 활용
- 미기재
특허 · 2012 성과 기록
다공성층을 이용한 칩 휴즈 제조방법
- 출원등록기관
- 주식회사 넥스트론
- 출원국
- 대한민국
- 원자료 구분
- 특허등록
- 사업화 활용
- 미기재
특허 · 2012 성과 기록
다공성 비정질 나노템플릿을 이용한 칩 휴즈 제조방법
- 출원등록기관
- 주식회사 넥스트론
- 출원국
- 대한민국
- 원자료 구분
- 특허등록
- 사업화 활용
- 미기재
특허 · 2012 성과 기록
ＥＳＤ 방지용 보호 소자의 제조방법 및 그 보호 소자
- 출원등록기관
- 주식회사 넥스트론
- 출원국
- 대한민국
- 원자료 구분
- 특허등록
- 사업화 활용
- 미기재