기술검색

일반기술 물리학 > 표면 / 경계면 / 박막 (C15, C45, G67, H64)

마이크로 플라즈마 보호 코팅

동 기술은 금속의 마이크로 플라즈마 산화 방법을 이용하여 보호 코팅을 획득하는 것이다. 약 알카리성과 산성의 물 같은 용액은 전해질처럼 사용되어진다. 마이크로 플라스마성 코팅은 세포질 경사 구조의 형태를 가진 다결정의 고온 산화물로 이루어지며, 그러므로 높은 물리 화학적 특성과 기계적 특성을 가지게 된다. 제안된 동 기술은 알루미늄, 티타늄, 니오브, 지르코늄, 탄탈 그리고 그 합금들, 흑연에 사용하여 형태 보호 코팅이 되도록 한다. - 본 기술은 높은 제조성을 지니고 있음- 요구되는 성분과 두께의 다기능성 코팅과의 합성이 가능함- 복잡한 형상을 가진 표면에 전체적으로 균일한 품질과 두께로 코팅하는 것이 가능함- 기술의 생태학적 안전성이 있음<마이크로 플라스마성 코팅의 주요 기술적 특징>1. 용도별 코팅 두께 - 마모 내구성, 마찰 방지와 절연 코팅 두께 : 50~200 micrometer - 부식 방지 코팅 두께 : 3~500 micrometer - 방열 코팅 두께 : 100~800 micrometer2. 재료별 미세경도 - 알루미늄 합금 (미세 경도 19.6~27.5 Hn(GPa)) - 니오브, 티타늄, 탄탈, 지르코늄 합금 (미세 경도 17.8 Hn(GPa))3. 코팅 성분 및 코팅 두께의 선택적 합성이 가능하여, 용도에 따라 원하는 코팅의실현이 가능하여 다기능성의 전문 코팅을 저렴한 비용으로 할 수 있음

보유기관

티알씨코리아

등록일

2005-07-18

상세보기

일반기술 물리학 > 표면 / 경계면 / 박막 (C15, C45, G67, H64)

수소 플라즈마 및 급속 열처리의 이중 전처리 단계를 포함하는 구리 전착방법

본 발명은 구리 전착을 위한 방법으로, 비어홀(via hole)에 aspect ratio는 3 이상을 요구하는데 스퍼터링(sputtering)방법은 1.5 정도의 한계가 있고, 화학기상 증착법은 채움성이 높아 aspect ratio가 3 이상의 조건을 만족하지만 증착 속도가 너무 느리고, 사용되는 장비나 유기재료의 가격이 비싼 단점을 해결하고자 한다.이에 본원발명에서는 상기한 문제점을 해결하기 위하여 a) p-type (100) Si 웨이퍼 상에 확산 방지막을 스퍼터링(sputtering)하는 단계; b) 상기 스퍼터링된 확산 방지막의 표면상에 구리 전도막 (seed layer)을 연속 증착하여 구리 전도막/확산 방지막/SiO2/Si의 기판을 형성하는 단계; c) 상기 구리 전도막을 포함한 기판을 수소 플라즈마 전처리로 세정하는 단계; d) 상기 세정된 구리 전도막을 포함하는 기판을 연속적으로 급속 열처리하는 단계; 및e) 이중 전처리된 상기 구리 전도막표면상에 펄수 전류를 이용하여 구리 전해도금 단계를 포함하는 수소 플라즈마 및 급속 열처리의 이중 전처리를 포함하는 것을 특징으로 하는 구리 전착방법을 제공한다.본 연구에서는 Cu 전기도금 공정에 앞서 magnetron 스퍼터링에 의하여 증착된 Cu seed층 표면을 수소 플라즈마처리와 급속열처리(RTA)하였다. 이러한 수소플라즈마처리 및 급속열처리의 이중 전처리가 전기도금에 의하여 증착된 Cu막의 비저항, 결정입도 및 표면 거칠기에 미치는 효과를 조사하였다. 그 결과 표면 거칠기, 결정립도 및 비저항이 우수한 구리도금층을 얻기위한 적정 전처리 조건은 100W의 rf-power와 10분간의 플라즈마 조사시간에 의한 수소 플라즈마 처리 및 350℃에서 30초간의 RTA로 밝혀졌다.이처럼 Cu electroplating을 위한 seed layer의 물리 화학적 특성이 실제 소자제조 공정에 전기적, 구조적 특성을 변화시키는 중요한 요인이 된다. Cu seed/TaN/SiO2/Si의 기판에 plasma H2 전처리와 RTA전처리가 후속 electroplated Cu막의 미치는 효과를 가지고 구리의 전해증착한다면 상당히 좋은 특성을 가질 것이다.

보유기관

인하대학교

등록일

2006-05-22

상세보기

일반기술 물리학 > 표면 / 경계면 / 박막 (C15, C45, G67, H64)

탄소나노튜브를 이용한 진공게이지

본 기술은 반도체 공정에서 발생하는 가스의 상태를 측정하기 위한 필수 장치로 전자 방출원을 기존의 필라멘트에서 탄소나노튜브로 대체한 것이다. 기존의 필라멘트를 이용한 이온게이지의 경우, 가열을 통한 전자방출방식이었기 때문에 과도한 전력소모 및 x-ray, 열, 빛 등이 발생할 뿐만 아니라, 아웃개싱으로 인해 반도체 공정 환경을 변화시켜 큰 문제점으로 지적되어 왔다. 이러한 문제를 해결하기 위해 필라멘트에 의한 열전자 발생방법이 아닌 탄소나노튜브의 전계방출효과를 이용하여 저전압에서 냉전자를 발생시켜 고진공 측정이 가능한 이온게이지를 개발하였다.탄소나노튜브의 전계방출효과를 이용하여 저전압에서 냉전자를 발생시켜 고진공 측정이 가능한 이온게이지를 개발하였다.기술의 장점은 다음과 같다. - 저전압에서도 시간 지연이 없는 냉전자 발생하여 - 저전력으로 구동이 가능다. - 열, 빛, x-ray 발생 및 아웃개싱이 없다. - 소형으로 저렴한 가격으로도 제작이 가능하다. 기대효과 : - 국내의 계측기 산업 발전에 기여할 수 있으며, 특히 반도체 산업에서의 공정특성 향상시킬 수 있을 뿐만 아니라, 국내외 특허 획득을 통한 기술 경쟁력 향상시킬 수 있다.

보유기관

한국표준과학연구원

등록일

2006-05-22

상세보기

일반기술 물리학 > 표면 / 경계면 / 박막 (C15, C45, G67, H64)

수직 자기 이방성을 가지는 코발트-철-실리콘-보론/플래티늄 다층박막

해당 기술은 자기 랜덤 액세스 메모리(자기 메모리)(magnetic random access memory)에 사용하는 자기 이방성 다층박막에 관한 것으로, 구체적으로는 다층의 CoFeSiB/Pt 막을 포함하는 자기 이방성 다층박막에 관한 것이다.

보유기관

고려대학교

등록일

2009-01-28

상세보기