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재료 > 기타 세라믹재료
GaN로 대표되는 III-V 질화물반도체를 이용한 청색발광소자는 Full color display의 구현, DVD용 광원의 개발 및 electric bulb의 대치를 통한 에너지절약등에 활용될 수 있는 중요한 소자이다. 이러한 소자의 개발에 관한 연구는 지난 20년간 진행되어 왔으나, GaN계 단결정박막(epi layer)의 성장에 필요한, GaN와 격자와 열팽창계수가 유사한 기판 물질의 부재로 인하여 크게 발전하지 못하였다. GaN 기판의 개발은 GaN 단결정(bull)성장에 필요한 조건이 2400℃ 이상의 고온과 40,000 기압 이상의 고압이므로, 청색발광소자 개발에 요구되는 고품위 대구경(최소 2" 이상) GaN 기판을 개발이 어려운 상황이다. 이에따라 성장속도가 60~100㎛/hr 이상인 film 성장법을 이용하여 후막을 성장하고, 이를 GaN epi-layer성장용 기판으로 이용하고자하는 연구를 수행하게되었다. 본 연구에서는 후막성장에 필요한 Hydride vapor Phase Epitaxy용 수평형 및 수직형 반응로를 자체 설계, 제작하고 이를 사용하여 후막 GaN의 성장특성에 관한 실험을 수행하였다. 성장에 필요한 물질로는 기존의 HCl과 금속 Ga을 이용하는 방법과 GaCl3를 이용하는 방법에 대하여 각각의 연구를 진행하였다. 수평형 및 수직형의 경우 모두 후막성장이 가능함을 확인하였고, 성장된 후막의 특성이 매우 양호함을 확인하였다. 자세한 연구결과와 토의가 기술전람회에서 논의될것이다.
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- 한국생산기술연구원
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- 2000-08-29
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재료 > 기타 세라믹재료
ㅇ절삭가공의 고속화, 고능율화 및 고경도 재료의 절삭가공화에 대한 요구 증대 ㅇTiN 등의 경질피막을 공규의 표면에 합성 → 상용화 ㅇ고속절삭시 공구표면의 승온에 따른 파괴가 발생 → TiN 박막의 한계성 ㅇ고경도 및 우수한 내열성의 고경질 피막에 대한 요구 증대 → TiAlN, TiAlCN박막 합성 → 고속 절삭작업 및 공구수명의 향상을 극대화ㅇ고경도:2700∼4000HK (HSS:850HK, WC-Co:1200HK) ㅇ우수한 내열성: 약 800℃까지 안정 ( TiN: 약 600℃) ㅇ초고속 및 무윤활조건에서의 절삭 가공 가능 → 생산성 및 공구 수명 향상 -산업적 적용 분야 ㅇ내마모성, 내열성 경질 박막 ㅇHSS, 초경재질의 endmill, drill 등의 각종 절삭공구 ㅇ열간 단조, 열간 press 등의 각종 열간 금형
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- 한국생산기술연구원
- 등록일
- 2000-08-29
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재료 > 기타 세라믹재료
-근년 신소재의 개발이 큰 주목을 받고 있다. 내열·내마모·내식특성이 우수한 고강도 세라믹은 차세대 신소재의 일익을 담당할 중요한 재료이다. 그 중에서도 질화규소는 고강도, 고경도, 저밀도, 내마모성, 내열충격성, 내식성 등의 우수한 기계적·화학적성질을 가지고 있으므로 탄화규소 등과 함께 기대되고 있는 고온 구조용 세라믹이다. 그러나 질화규소의 응용분야를 확대시키기 위해서는 강도와 파괴인성 등의 기계적 성질을 한층 개량하는 것이 요구된다. 강도 및 인성을 향상시키기 위한 방법의 하나로써, 섬유, 입자, 휘스커 등을 첨가한 복합재료에 관한 연구가 활발히 진행되고 있다. 그 중에서도 휘스커 복합세라믹은 섬유 복합 세라믹과는 달리 종래의 분말야금법을 사용하여 용이하게 제조할 수 있을 뿐만 아니라 입자 복합 세라믹보다 더 높은 파괴인성치가 기대되므로 휘스커 분산법이 시도되고 있다. 첨가 휘스커로써는 현재 고강도, 고경도 및 화학적으로 안정한 SiC 휘스커가 가장 널리 사용되고 있다. 따라서, SiC 휘스커를 질화규소에 첨가하여 제조한 SiC 휘스커/질화규소 복합세라믹의 기계적 성질에 영향을 미치는 (1)휘스커의 배향, (2)계면강도, (3)파괴원 등의 조직적 인자에 대하여 계통적으로 조사하여 SiC 휘스커/질화규소 복합세라믹의 기계적 성질의 대폭적인 향상을 달성하고자 한다.
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- 한국생산기술연구원
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- 2000-08-29
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재료 > 기타 세라믹재료
압전 세라믹을 이용한 사운더는 정보화 사회로 고도화되면서 수요가 급증하고 있는 휴대용 전화기등의 이동 통신 기기들에 이용가능한 전자 부품이다. 본 연구에서는 Cellular Phone용 압전 사운더 개발에 필요한 PbTiO3-PbZrO3-Pb(Ni1/3Nb2/3)O3-Pb(Mg1/2W1/2)O3 +0.01wt% Y2O3계 압전 세라믹스 조성을 개발하고 doctor blade 법을 이용하여 100 ㎛ 두께의 세라믹스 박판을 제조하였다. 이를 이용하여 전화기용 수화기의 사용 주파수 대역 내에서 광대역으로 평탄한 주파수 특성을 얻기 위한 음향 시스템을 설계하였다. 가장 우수한 감도를 얻을 수 있는 금속판과 세라믹스 판의 직경비는 0.78이었고, 제작된 압전형 수화기의 음압(SPL)-주파수 특성은 음향 시스템의 각 공명실 용적 및 댐퍼에 의한 제동계의 구성으로 광대역으로 평탄한 특성을 얻을 수 있었으며 기존의 전화기용 수화기에 비해 용적, 두께, 중량, 부품수 등이 줄어들어 소형, 박형의 수화기 소자로 실현 가능하였다. 이상과 같은 결과로부터 제작한 압전형 수화기는 기존의 전자식 수화기에 비해 구조가 간단하고 사용 부품수가 적기 때문에 전화기용 수화기의 소형화, 경량화, 저소비 전력화가 가능하여 경제성이 있을 것으로 사료된다.
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- 한국생산기술연구원
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- 2000-08-29
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재료 > 기타 세라믹재료
-최근에 이르러 강유전체가 갖고 있는 높은 잔류 분극과 높은 유전률과 같은 고유한 특성으로 인해 비휘발성 기억소자나 DRAM과 같은 기억소자로의 응용에 큰 주목을 끌고 있다. 이러한 비휘발성 기억소자는 DRAM의 특성인 빠른 동작속도와 데이터 입출력의 용이성 위에 강유전체의 비휘발성(bistable state)이 추가된 특성이 있으며 휘발성 기억소자에서는 강유전체에 고유한 높은 유전률을 이용하여 기존의 DRAM의 고집적화의 한계를 극복하려는 것이다. 비휘발성 기억소자로의 실현에 강유전체박막의 신뢰성 즉 fatigue, retention, imprint 등이 가장 중요한 문제로 부각되었다. 이중 최근에 이르러 주목을 받고있는 imprint란 강유전체 박막캐패시터의 성질 즉 전기신호에 따른 분극상태의 변화가 비대칭성을 띠게되고 이와 같은 강유전체 캐패시터를 포함하는 단위기억소자가 테이타의 입출력과정에서 오동작을 발생하게되는 것을 말한다. 본 연구는 비휘발성 강유전체 기억소자의 실현에 가장 중요한 신뢰성 문제로 부각된 imprint failure를 일으키는 강유전체의 비대칭성의 원인을 이해하기 위해서 pulsed laser deposition 방법으로 La(Sr)CoO3/Pb(ZrTi)O3/La(Sr)CoO3 복합구조를 성장시켰다. PZT 박막캐패시터의 전극이 모두 같은 조성일 때, 즉 (La0.5Sr0.5)CoO3 (LSCO)일 때 PZT 박막의 이력곡선은 대칭성을 보여준다. 그러나 산화물전극의 조성이 변할 때 PZT 박막캐패시터에서 비대칭성을 발견했다. 즉 LaCoO3 (LCO)를 상층전극, LSCO를 하층 전극으로 사용하였을 때 이력곡선은 음의 방향으로 분극된 상태가 불안정하여 음의 잔류 분극의 완화현상을 보여준다. 반면 상층전극이 LSCO, 하층전극이 LCO인 PZT 박막캐패시터는 양의 방향의 분극 상태가 불안정하여 양의 잔류 분극이 완화현상을 보여준다. 두 경우 모두 비대칭성으로 인한 imprint failure를 발견했으며 이것으로 전극물질과 imprint failure가 아주 밀접한 상관관계가 있음을 알 수 있다. 이러한 전극 구조에 의존한 분극상태의 비대칭적인 거동의 원인은 PZT 층의 내부전계의 형성 때문이며, 내부전계는 LCO/PZT와 LSCO/PZT 계면에서의 전압강하 차이 때문에 발생함을 알 수 있었다. 이러한 비대칭적인 전기적 접촉은 상층과 하층 전극의 일함수 차이에 의한 전자밴드구조의 비대칭적인 변형의 결과로 결론 내릴 수 있었다.
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- 한국생산기술연구원
- 등록일
- 2000-08-29
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일반기술
재료 > 기타 세라믹재료
1. 백색 EL 표시소자 제조기술 개발 가. 고휘도 ELD를 위한 재료 및 박막 공정 개발 연구 나. 칼라필터 재료, Inverted 구조용 박막 전극 연구 다. 표시장치의 자동화 특성 분석 시스템 연구 및 구현 2. 청색 LED, LD용 반도체 개발 가. 본 연구실에서 제작한 MBE 장치에 RHEED를 부착 나. Planar 도핑방법으로 n·p 형 도핑을 행하여 박막의 특성을 개선 다. ZnSSe와 ZnMaSSe 박막의 성장조건에 대하여 연구 라. TEM, PL 등의 방법을 이용하여 성장된 박막의 구조와 결함을 분석 마. 제작된 LED에 대해서 발광 특성을 분석 바. 오음 접속을 개선하기 HgSe의 성장조건에 대하여 연구 3. 고휘도 황색 LED 개발 가. GaInP 성장층의 n Doping 제어 및 deep level 형성 연구 나. Se, Te의 doping조건 연구 다. p-InGaP/n-InGaP pn 접합의 형성 라. MOCVD로 성장한(Al0.5Ga0.5)In0.5P의 Si 및 Zn doping 마. MOCVD로 성장된(AlGa) InP 층의 산소의 혼입 확인 바. AlGaP의 DH 구조 LED의 특성 연구
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- 한국생산기술연구원
- 등록일
- 2000-08-29
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일반기술
재료 > 기타 세라믹재료
반도성 티타니아를 초미립 나노사이즈화하여 세균,곰팡이를 사멸시키코,온갖 악취를 분해시키며,공기주의 오염물질인 녹스,속스,다이옥신등 환경호르몬까지 분해시킬수있는 초첨단 환경신소재전자와 정공에의해 오염물질을 강력한 산화 환원력으로 분해 제거시킬수있고 빛이 없는곳에서도 탈취와 살균을 발휘할수있는 최고의기술을 보유하고있으며 초친수성기능도 실현된다
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- 특허법인충정
- 등록일
- 2000-08-29
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일반기술
재료 > 기타 세라믹재료
기존의 담면, 유리면, 석면, 세라믹화이버와는 틀린 장섬유질의 보온단열재를 개발하므로서 기존 제품에서 없는 보온단열효과와 절연성이 우수한 제품의 개발이 가능하다. 기술내용으로는, ㅇ내열도 : 1000℃의 보온 단열재, 흡온재 ㅇ섬유크기 : 15㎛의 장섬유 ㅇ절연성 : 가장 안전한 신소재 장점 ㅇ기존 Ceramic fiber, Glass fiber, Rack wool이외의 새로운 광섬유로 내열성과 전기 절연성이 우수한 신소재 o 일반적인 섬유질 보온재에서 일어나는 고온열화가 없음
- 보유기관
- 한국생산기술연구원
- 등록일
- 2000-09-02
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일반기술
재료 > 기타 세라믹재료
본 발명은 센서에 관한 것으로 특히 示溫顔料 또는 광센서 안료를 원료로 하여 제조되는 센서 및 그 제조방법과 상기 센서를 사용하여 온도 또는 빛의 변화에 따라 색상이 변화 할 수 있도록 제조되는 제품에 관한 것이다. 즉 온도나 빛의 변화에 따라서 그 색상이 변화하는 안료를 이용하여 미려한 미적 감각을 표출할 수 있도록 한 패션 상품 및 신변 잡화용품을 구현하고자 함에 주안점을 두어 발명한 것으로 온도 또는 빛의 변화를 감지하여 그 색상이 변화하는 혁신적인 상품을 제조하는 발명 기술이다.
- 보유기관
- 한국생산기술연구원
- 등록일
- 2000-09-02
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일반기술
재료 > 기타 세라믹재료
sol-gel법을 이용한 고순도 구형 초미립 실리카 및 실리카겔로서 반도체 봉지제, 화장품 기초원료, 기타 기능성 기초소재로 활용 가능하며 국내 소요량 전량을 수입하고 있슴실험실적 제법이 아닌 대량생산 을 할 수 있는 공정을 확립하여 입자의 형상, 순도, 크기가정밀 제어된 실리카 및 실리카겔을 제조함
- 보유기관
- 특허법인충정
- 등록일
- 2000-10-05
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일반기술
재료 > 기타 세라믹재료
BN을 첨가하여 1140 ℃에서 반도성 BaTiO3 세라믹스를반도성 BaTiO3 세라믹스의 저온 제조공정 개발 가능
- 보유기관
- 한국에너지기술연구원
- 등록일
- 2000-11-22
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일반기술
재료 > 기타 세라믹재료
유휴자원인 천연광물을 이용하여 부가가치가 높은 세제, 이온교환제 등으로 활용할 수 있는 제올라이트 제조 방법비정질을 다량 함유하고 있어 반응성이 우수한 천연 모데나이트 원료를 이용하여 쉽게 제올라이트 합성 가능
- 등록일
- 2000-11-22
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일반기술
재료 > 기타 세라믹재료
고온 고압가스의 집진용으로 널리 응용되고 있는 길이가 긴 다공성 세라믹필터를 제조하는 방법샤모트, 알루미나시멘트, 점토, 갈탄, 메틸셀룰로오스 조성물을 이용하여 성형한 후 열처리하여 제조
- 등록일
- 2000-11-22
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일반기술
재료 > 기타 세라믹재료
스코리아에 화학성분을 보충하여 다양한 색채와 광체를 표현하는 유약제조분쇄한 스코리아에 와목점토 및 산화규소를 혼합하고 이 외에 광택과 색상을 조절하기 위한 첨가제를 첨가하여 제조
- 등록일
- 2000-11-22
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일반기술
재료 > 기타 세라믹재료
고온고압가스의 집진용으로 다공성세라믹필터의 기공크기가 균일하고 일정한 강도를 얻을 수 있는 세라믹필터의 조성물샤모트, 알루미나시멘트, 점토, 갈탄 및 메틸셀룰로오스로 구성하여 성형응력이 발생하지 않아 대형 및 장형의 성형체를 제조할 수 있는 최적조
- 등록일
- 2000-11-22
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일반기술
재료 > 기타 세라믹재료
저순도 TiCl4를 고순도이면서 미립인 TiO2를 제조하기 위한 저순도 TiCl4로부터 고순도 미립의 TiO2제조방법저순도 TiCl4를 일차증류, 이차증류를 거친 후 Ti(OH)4를 만들고 액화온도의 차이를 이용하여 불순물을 제거한 후 광촉매용 TiO2 분말을 제조
- 등록일
- 2000-11-22
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일반기술
재료 > 기타 세라믹재료
본 발명은 새로운 수은계 초전도체인 Hg1-x TlxBa2(Ca1-ySry)2Cu3O8+9와 그 제조방법에 관한것으로서, 더욱 상세하게는 방응물로서 삼성분 산화물인 Ba2CuO3+x와 Ca1-ySryCuO2를 사용하여 불순물상의 형성을 억제하고 수은(Hg)일부를 탈륨(Tl)으로 치환하므로써 열적으로 안정하고 높은 임계전류밀도를 갖는 탈륨이 고용된 수은계 초전도체와 그 제조방법에 관한것이다. 일반적인 수은계 초전도체의 제조방법에서 개개산화물을 시편으로 제작하는데 반하여 본 발명에서는 반응에 사용된 산화물을 혼합하여 하나의 시편으로 제작하므로서 CaHgO2와 같은 불순물의 형성을 줄일수 있고 재현성있게 시편을 제작할 수 있다.
- 보유기관
- 한국표준과학연구원
- 등록일
- 2000-11-22
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일반기술
재료 > 기타 세라믹재료
염소화법을 이용하여 TiCl4를 만들고 이를 이용하여 고순도 미립의 TiO2를 제조하는 방법 및 그 시스템저순도의 TiO2를 이용하여 TiCl4를 만들고 액화온도의 차이를 이용하여 불순물을 제거한 후 광촉매용 TiO2 분말을 제조
- 등록일
- 2000-11-22
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일반기술
재료 > 기타 세라믹재료
스코리아를 이용하여 용융 후 결정화 유리타일을 제조스코리아 원광을 용융하여 프리트화한 후 적당한 온도에서 핵형성과 결정성장을 동시에 시켜 유리타일을 제조
- 등록일
- 2000-11-22
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일반기술
재료 > 기타 세라믹재료
액상 반응소결에 의한 탄화금소 세라믹 전열관을 제조하는 방법으로 진공분위기 하에서 금속 실리콘을 놓고 소성하여 완전 치밀한 소결체를 제조하는 방법고강도, 내마모성 치밀질 세라믹스, 우수한 내열충격성 및 내식성
- 보유기관
- 한국에너지기술연구원
- 등록일
- 2000-11-22
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